[发明专利]能量供给装置及能量供给方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种能量供给装置及能量供给方法，其通过向光反应型的被照射体照射光而使被照射体进行光反应。

背景技术

在半导体晶片(以下，简称为晶片)的处理装置中，进行如下处理：例如，通过在晶片的电路面上粘贴保护带而进行背面磨削，或者，通过粘贴切割带而分割成多个芯片。在上述处理所使用的带中，采用光硬化型(光反应型)的粘接剂，在进行上述处理后，通过能量供给装置照射光使粘接剂硬化(进行光反应)，从而减弱粘接力，以不使晶片破损的方式容易地进行剥离(例如，参照专利文献1)。

在专利文献1的紫外线照射装置的发光二极管安装部件，配设有：排列在直线上的紫外线发光二极管；对该紫外线发光二极管的光进行聚光并向晶片照射的圆筒形透镜；冷却发光二极管安装部件的冷却风扇。紫外线照射装置一边通过冷却风扇冷却由于点亮紫外线发光二极管而被加热的发光二极管安装部件一边使其移动，从而将被圆筒形透镜聚光的紫外线向粘着带的整个面照射。

专利文献1：(日本)特开2007-329300号公报

但是，如专利文献1所记载的紫外线照射装置所示，在向粘接片(粘着带)仅提供紫外线的能量的结构中，存在粘接片的粘接剂层不能硬化至容易进行剥离而不使晶片破损这种程度的不良情况。因此，希望开发一种使粘接片的粘接剂层适当地硬化的方法。

发明内容

本发明是鉴于上述不良情况而做出的，目的在于提供一种能量供给装置及能量供给方法，其使光反应型的被照射体适当地进行光反应。

为了达到上述目的，本发明人潜心研究的结果发现，使用照射高压水银灯的光照射装置能够使利用专利文献1所记载的紫外线照射装置不能适当地硬化的粘接剂层适当地硬化。其结果是，在专利文献1所述的紫外线照射装置中，仅能够向粘接剂层提供光能，但是在高压水银灯中，因为除光能以外还提供热能，所以能够使粘接剂层硬化。即，例如，对被提供100以上水平的能量才开始硬化反应的粘接剂层而言，若仅照射光能，则无论照射多少光能也仅达到98的水平，但是，除提供该光能以外还提供作为其他能量的热能等，从而整体上向粘接剂层提供100以上的能量而能够使其硬化。上述现象可以通过下述现象加以证实：在将水慢慢冷却的情况下，即使达到0度水也存在不结冰的情况，但是，通过采取冲击的方式提供能量，就能克服能障，一下子形成冰。本发明基于上述见解而做出。

即，本发明的能量供给装置通过向光反应型的被照射体照射光而使所述被照射体进行光反应，并且该能量供给装置构成为具备：第一能量供给装置，其向所述被照射体提供规定波长的光能；第二能量供给装置，其将光能以外的能量或所述规定波长以外的光能作为第二能量，向所述被照射体提供。

这时，在本发明的能量供给装置中，优选的是，所述被照射体能够利用紫外线进行光反应，所述第一能量供给装置提供规定波长的紫外线。

另外，在本发明的能量供给装置中，优选的是，所述被照射体是具有紫外线硬化型的粘接剂层并粘贴于半导体晶片的粘接片。

而且，在本发明的能量供给装置中，优选的是，所述第一能量供给装置提供从至少一个发光二极管发出的光能。

另外，在本发明的能量供给装置中，优选的是，所述第二能量供给装置提供热量、振动、声音、超声波、电子射线、γ射线、X线及红外线中的至少任意一种能量作为所述第二能量。

另一方面，本发明的能量供给方法通过向光反应型的被照射体照射光而使所述被照射体进行光反应，该能量供给方法通过使用第一能量供给装置和第二能量供给装置实施第一能量供给步骤和第二能量供给步骤，其中，所述第一能量供给装置产生规定波长的光能，所述第二能量供给装置产生光能以外的能量或所述规定波长以外的光能作为第二能量，所述第一能量供给步骤向所述被照射体提供来自于所述第一能量供给装置的所述第一能量，所述第二能量供给步骤向所述被照射体提供来自于所述第二能量供给装置的所述第二能量。

这时，在本发明的能量供给方法中，优选的是，所述第二能量供给装置产生热量、振动、声音、超声波、电子射线、γ射线、X线及红外线中的至少任意一种能量作为所述第二能量。

根据如上所述的本发明，对硬化所需的能量(以下，简称为硬化能量)为仅使用规定波长的光能不能进行光反应、即仅使用单一波长的光能不能克服能障的被照射体而言，在提供该规定波长的光能前，或者提供该规定波长的光能后，或者在正提供该规定波长的光能时，通过提供光能以外的能量或规定波长以外的光能作为第二能量，能够克服能障，从而使被照射体适当地硬化。