[发明专利]用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件

权利要求书

1.用于制造光电子半导体器件的方法，具有如下步骤：

- 提供载体（1），

- 将至少一个光电子半导体芯片（2）布置在载体（1）的上侧（1a），

- 用模塑体（3）改造至少一个光电子半导体芯片（2），其中模塑体（3）覆盖至少一个光电子半导体芯片（2）的所有侧面（2c），并且其中至少一个半导体芯片（2）的上侧（2a）处的背向载体（1）的表面和/或底侧（2b）处的朝向载体的表面保持未被模塑体（3）覆盖或者被暴露，

- 去除载体（1）。

2.根据权利要求1的方法，

其中模塑体（3）包括基质材料并且反射光的颗粒被置入到该基质材料中，使得模塑体（3）显现为白色。

3.根据权利要求2的方法，

其中基质材料包含硅树脂或者由硅树脂构成，并且反射光的颗粒由二氧化钛构成。

4.根据前述权利要求之一的方法，其中

- 将多个光电子半导体芯片（2）布置在载体（1）的上侧（1a），其中

- 每个半导体芯片（2）被设置为在运行时产生具有被分配给该半导体芯片（2）的尖峰波长的波长范围的电磁辐射，

- 半导体芯片（2）的每一个的尖峰波长与所有光电子半导体芯片（2）的尖峰波长的平均值偏差最高+/-2%。

5.根据权利要求4的方法，

其中在改造之前或者之后将共同的发光材料层（8）在光电子半导体芯片（2）的上侧（2a）或者光电子半导体芯片（2）的底侧（2b）处布置在所述光电子半导体芯片（2）之后。

6.根据前述权利要求之一的方法，其中

- 在改造之前或者之后为每个半导体芯片（2）产生至少一个具有导电材料的贯通接触部（6），其中

- 贯通接触部（6）与所分配的半导体芯片（2）在横向上间隔开地布置，并且

- 贯通接触部（6）完全地穿过模塑体（3），其中所述贯通接触部（6）从模塑体（3）的上侧（3a）延伸至模塑体（3）的底侧（3b）。

7.根据权利要求6的方法，

其中在贯通接触部（6）与所分配的半导体芯片（2）之间产生导电连接（7），所述导电连接导电地与半导体芯片（2）上侧（2a）处的背向载体（1）的表面连接并且在模塑体（3）的上侧（3a）处延伸。

8.光电子半导体器件，具有

- 光电子半导体芯片（2），其侧面（2c）被模塑体（3）覆盖，

- 至少一个贯通接触部（6），其包围导电材料，以及

- 导电连接（7），其导电地与半导体芯片（2）和贯通接触部（6）连接，其中

- 贯通接触部（6）与半导体芯片（1）在横向上间隔开地布置，

- 贯通接触部（6）完全地穿过模塑体（3），其中贯通接触部（6）从模塑体（3）的上侧（3a）延伸至模塑体（3）的底侧（3b），

- 导电连接（7）在模塑体（3）的上侧（3a）处延伸。

9.根据权利要求8的光电子半导体器件，

其中模塑体（3）被构造为光学反射的。

10.根据权利要求9的光电子半导体器件，

其中模塑体（3）包括基质材料，其中反射光的颗粒被置入到该基质材料中，使得模塑体（3）显现为白色的。

11.根据权利要求10的光电子半导体器件，

其中基质材料包含硅树脂或者由硅树脂构成，并且反射光的颗粒由二氧化钛构成。

12.根据权利要求8的光电子半导体器件，

其中模塑体（3）被构造为辐射可透过的。

13.根据前述权利要求之一的光电子半导体器件，

具有多个光电子半导体芯片（2），这些光电子半导体芯片借助于在模塑体（3）的上侧（3a）处延伸的导电连接（7）彼此导电连接。