[发明专利]LED搭载用晶片及其制造方法、以及使用该晶片的LED搭载结构体

权利要求书

1.一种LED搭载用晶片(6)，其特征在于，

由金属浸渗陶瓷复合体(61)及在其周围形成的保护层(62)构成。

2.如权利要求1所述的LED搭载用晶片，其特征在于，

金属浸渗陶瓷复合体是使含有选自碳化硅、氮化铝、氮化硅、金刚石及石墨中的一种以上且气孔率为10-50体积％的多孔体或粉末成形体中浸渗金属而制造的，板厚为0.05-0.5mm，表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm，三点弯曲强度为50MPa以上，温度25℃的热导率为150-500W/mK，温度25℃-150℃的线性热膨胀系数为4-9×10^-6/K，体积电阻率为10^-9-10^-5Ω·m。

3.如权利要求1或2所述的LED搭载用晶片，其特征在于，

保护层是由选自Ni、Co、Pd、Cu、Ag、Au、Pt、Ti、W及Mo中的一种以上的金属、或者是由气孔率为3％以下的选自氧化铝、富铝红柱石、氮化铝及氮化硅中的一种以上的陶瓷构成，保护层的厚度为3mm以下(不包括0)，保护层的体积占有率为20体积％以下(不包括0)。

4.如权利要求1至3中任一项所述的LED搭载用晶片，其特征在于，

金属浸渗陶瓷复合体(61)在表面具有厚度为0.5-10μm的选自Ni、Co、Pd、Cu、Ag、Au、Pt及Sn中的一种以上的金属薄层(63)。

5.一种LED搭载用晶片的制造方法，所述LED搭载用晶片是权利要求1至4中任一项所述的LED搭载用晶片，其特征在于，

在金属制或陶瓷制管状体的内部填充选自陶瓷多孔体、陶瓷粉末成形体及陶瓷粉末中的至少一者，之后，使选自这些陶瓷多孔体、陶瓷粉末成形体及陶瓷粉末中的至少一者所具有的空隙部浸渗金属，然后进行加工。

6.如权利要求5所述的LED搭载用晶片的制造方法，其特征在于，将使陶瓷多孔体、陶瓷粉末成形体所具有的空隙部浸渗金属而得到的金属浸渗陶瓷复合体加工成圆柱形状，之后，利用镀敷、蒸镀、溅射在侧面部形成金属层，并进行加工。

7.一种LED搭载结构体，其特征在于，采用以下结构：

在从权利要求1至4中任一项所述的LED搭载用晶片(6)的金属浸渗陶瓷复合体(61)部分切出的至少一个片所构成的LED搭载用基板5的至少一个面上，依次具有金属薄层(51)、反射层(3)、LED(2)、以及透明导电层(4)，或者依次具有金属薄层(51)、反射层(3)的金属层(31)、反射层(3)、LED(2)、以及透明导电层(4)，在透明导电层(4)上安装有电极(未图示)。