[发明专利]导电性高分子复合结构体、导电性高分子复合结构体的制造方法以及驱动器元件

权利要求书

1.一种导电性高分子复合结构体，其特征在于，为至少含有1层导电性高分子层的导电性高分子复合结构体，所述导电性高分子层的表层为绝缘层。

2.根据权利要求1所述的导电性高分子复合结构体，其特征在于，所述导电性高分子复合结构体的形状为从平面状、棒状、杆状、平面锯齿状、折皱状、链状、线圈状、弹簧状、纤维状、管状、袋状、波纹管状、网眼状和编织物状中选择的至少1种形状。

3.根据权利要求1或2所述的导电性高分子复合结构体，其特征在于，所述导电性高分子复合结构体进一步含有基体。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的导电性高分子复合结构体，其特征在于，所述导电性高分子层的导电性高分子在分子链中含有吡咯和/或吡咯衍生物。

5.根据权利要求3或4所述的导电性高分子复合结构体，其特征在于，所述基体的形状为从平面状、棒状、杆状、平面锯齿状、折皱状、链状、线圈状、弹簧状、纤维状、管状、袋状、波纹管状、网眼状和编织物状中选择的至少一种形状。

6.一种驱动器元件，其特征在于，使用了权利要求1～5中任一项所述的导电性高分子复合结构体。

7.根据权利要求6所述的驱动器元件，其特征在于，所述基体具有伸缩性。

8.根据权利要求6或7所述的驱动器元件，其特征在于，所述导电性高分子层通过电解伸缩而伸缩、弯曲或者扭曲地进行驱动。

9.一种导电性高分子复合结构体的制造方法，其特征在于，为至少含有1层导电性高分子层的导电性高分子复合结构体的制造方法，包括形成至少1层所述导电性高分子层的工序和将所述导电性高分子层的表层进行绝缘化处理的工序。

10.根据权利要求9所述的导电性高分子复合结构体的制造方法，其特征在于，所述导电性高分子复合结构体进一步含有基体。

11.根据权利要求9或10所述的导电性高分子复合结构体的制造方法，其特征在于，所述导电性高分子层是至少将吡咯和/或吡咯衍生物进行电解聚合而得到的。

12.根据权利要求9～11中任一项所述的导电性高分子复合结构体的制造方法，其特征在于，所述绝缘化处理为从氧化处理、酸处理、碱处理、热处理、光处理、电子束处理和臭氧处理中选择的至少一种处理。