[发明专利]包含石墨烯基层的电子装置和/或其制造方法有效
申请号: | 201080035069.8 | 申请日: | 2010-07-16 |
公开(公告)号: | CN102656702A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 维嘉恩·S.·维拉萨米 | 申请(专利权)人: | 格尔德殿工业公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/075;H01L31/0392;B82Y30/00;G06F3/041;H01Q1/38 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫 |
地址: | 美国(48326-171*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 石墨 基层 电子 装置 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池,包括:
玻璃基板;
直接或间接地位于玻璃基板上的第一石墨烯基传导层;
接触第一石墨烯基传导层的第一半导体层;
直接或间接地位于第一半导体层上的至少一个吸收层;
直接或间接地位于至少一个吸收层上的第二半导体层;
接触第二半导体层的第二石墨烯基的传导层,和
直接或间接地位于第二石墨烯基的传导层上的背接触体。
2.权利要求1的太阳能电池,进一步包括在第一石墨烯基传导层对面的基板的表面提供抗反射涂层。
3.权利要求1的太阳能电池,其中第一半导体层是n型半导体层并且第一石墨烯基传导层是用n型掺杂物掺杂的。
4.权利要求3的太阳能电池,其中第二半导体层是p型半导体层并且第二石墨烯基的传导层是用p型掺杂物掺杂的。
5.权利要求4的太阳能电池,进一步包括设置在玻璃基板和第一石墨烯基传导层之间的掺杂锌的二氧化锡层。
6.权利要求1的太阳能电池,第一和/或第二半导体层包含聚合材料。
7.一种光伏装置,包括:
基板;
至少一个光伏薄膜层;
第一和第二电极;和
第一和第二透明的、传导的石墨烯基层;
其中第一和第二石墨烯基层分别与n和p型掺杂物掺杂。
8.一种触控面板组件,包括:
玻璃基板;
直接或间接地在玻璃基板上提供的第一透明的、传导的石墨烯基层;
可变形箔,所述可变形箔实质上相对于玻璃基板平行并隔开放置;和
直接或间接地在可变形箔上提供的第二透明的、传导的石墨烯基层。
9.权利要求8的触控面板组件,其中第一和/或第二石墨烯基层被图案化。
10.权利要求9的触控面板组件,进一步包括:
位于可变形箔和玻璃基板之间的多个柱体,和
在组件外围的至少一个边缘密封。
11.权利要求10的触控面板组件,其中该可变形箔是PET箔。
12.权利要求8的触控面板组件,其中第一和/或第二石墨烯基层具有小于500欧姆/平方的片电阻。
13.权利要求8的触控面板组件,其中第一和/或第二石墨烯基层具有小于300欧姆/平方的片电阻。
14.一种接触面板设备,包括:
权利要求8的接触面板组件;和
在可变形箔的对面连接接触面板组件的基板表面的显示器。
15.权利要求14的接触面板设备,其中显示器是LCD显示器。
16.权利要求15的接触面板设备,其中接触面板设备是电容性的接触面板设备。
17.权利要求15的接触面板设备,其中接触面板设备是电阻式的接触面板设备。
18.一种数据/总线线路,包括由基板支持的石墨烯基层,其中:
石墨烯基层的一部分已经暴露用于离子束/等离子体处理和/或用H*蚀刻,从而降低该部分的传导性。
19.权利要求18的数据/总线线路,其中该部分不是电传导的。
20.权利要求18的数据/总线线路,其中基板是玻璃基板。
21.权利要求18的数据/总线线路,其中基板是硅晶片。
22.权利要求18的数据/总线线路,其中该部分通过暴露用于离子束/等离子体处理和/或用H*蚀刻而被至少部分地移除。
23.一种天线,包括:
由基板支持的石墨烯基层,其中:
石墨烯基层的一部分已经暴露用于一种离子束/等离子体处理和/或用H*蚀刻,从而使得与石墨烯基层的其它部分相比,所述石墨烯基层的该部分变薄,
其中,所述石墨烯基层作为一个整体具有至少80%的可见光透射率。
24.权利要求23的天线,其中,石墨烯基层作为一个整体具有至少90%的可见光透射率。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格尔德殿工业公司,未经格尔德殿工业公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080035069.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:树脂螺旋套管扶正器
- 下一篇:一种PDC钻头的耐磨节
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的