[发明专利]透明氧化锆烧结体、其生产方法及其用途

权利要求书

1.一种氧化锆烧结体，其具有10μm以下的平均粒径以及在样品厚度为1mm下对于测量波长为600nm的可见光具有50％以上的直线透过率。

2.根据权利要求1所述的氧化锆烧结体，其具有8μm以下的平均粒径。

3.根据权利要求1或2所述的氧化锆烧结体，其具有5μm以下的平均粒径。

4.根据权利要求1所述的氧化锆烧结体，其在样品厚度为1mm下对于测量波长为600nm的可见光具有55％以上的直线透过率。

5.根据权利要求1所述的氧化锆烧结体，其在样品厚度为1mm下对于测量波长为600nm的可见光具有60％以上的直线透过率。

6.根据权利要求1所述的氧化锆烧结体，其包括7mol％至30mol％的氧化钇。

7.根据权利要求1所述的氧化锆烧结体，其具有300Mpa以上的平均挠曲强度。

8.根据权利要求1所述的氧化锆烧结体，其具有350MPa以上的平均挠曲强度。

9.根据权利要求1所述的氧化锆烧结体，其结晶相具有立方萤石结构。

10.一种用于生产氧化锆烧结体的方法，其包括成型氧化锆粉末、烧结所述氧化锆成型体并将所得一次烧结体进行热等静压处理，其中用于所述热等静压处理的所述一次烧结体具有1μm以下的平均粒径和92％以上的相对密度，并且其结晶相仅由立方晶体组成。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述一次烧结体在1,200℃至1,300℃的温度下保持至少5小时。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述一次烧结体通过以下来制备：在500℃/小时以上的升温速度和1,350至1,500℃的烧结温度下来烧结所述成型体，而不在该烧结温度下保持所述成型体。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述热等静压处理在1,250℃至小于1,600℃的温度和至少50MPa的压力下进行。