[发明专利]压电元件的制造方法

权利要求书

1.一种压电元件的制造方法，所述压电元件具有：

基板；

由导电性材料构成的下部电极膜；

由氧化物强电介质构成的强电介质膜；以及

由导电性材料构成的上部电极膜，

所述下部电极膜、所述强电介质膜以及所述上部电极膜以该顺序配置于所述基板上，

向所述上部电极膜与所述下部电极膜之间施加电压时，所述强电介质膜的形状变形；停止电压的施加时，变形复原，

其中，所述压电元件的制造方法具有：

金属掩模配置工序，在所述上部电极膜和所述强电介质膜以该顺序层叠于所述基板上的处理对象物的表面的所述强电介质膜上，形成由图案化的金属薄膜构成的金属掩模，使所述强电介质膜的表面部分地露出，而覆盖其他部分；以及

蚀刻工序，向配置于所述处理对象物的背面侧的电极施加交流电压，并且在所述成膜对象物的表面侧形成含有氧气和在化学结构中含有氟的反应气体的混合气体的蚀刻气体的等离子体，

使所述等离子体与所述金属掩模和所述强电介质膜接触，并且，使所述等离子体中的离子入射，除去露出于所述金属掩模的开口底面的所述强电介质膜，使所述下部电极膜露出。

2.如权利要求1所述的压电元件的制造方法，其中，所述强电介质膜含有从由钛酸钡(BaTiO₃)、钛酸铅(PbTiO₃)、钛酸铋镧((Bi，La)₄Ti₃O₁₂：BLT)、钛锆酸铅(Pb(Zr，Ti)O₃：PZT)、钛锆酸镧铅((PbLa)(ZrTi)O₃：PLZT)以及钽酸铋锶(SrBi₂Ta₂O₃：SBT)构成的组中选择的任一种氧化物强电介质。

3.如权利要求1或2的任一项所述的压电元件的制造方法，其中，所述金属掩模含有从由Ni、Al以及Cr构成的组中选择的任一种金属。

4.如权利要求1至3中的任一项所述的压电元件的制造方法，其中，所述反应气体由从由CF₄、C₂F₆、C₃F₈、C₄F₈、CHF₃、SF₆、C₄F₆以及C₅F₈构成的组中选择的任一种气体或两种以上的混合气体构成。

5.如权利要求1至4中的任一项所述的压电元件的制造方法，其特征在于，关于所述蚀刻气体，所述反应气体的流量相对于氧气的流量和所述反应气体的流量的合计的比例是50％以上。