[发明专利]亚光刻间距结构与光刻间距结构之间的互连

说明书

技术领域

本发明涉及包括亚光刻间距结构(sublithographic-pitched structure)与光刻间距结构之间的互连的结构及其制造方法。

背景技术

可采用自组装共聚物形成亚光刻间距结构，即，具有亚光刻间距的结构。先在适合的溶剂系统中溶解自组装嵌段共聚物以形成嵌段共聚物溶液，然后再将此溶液施加在第一示例性结构的表面上，以形成嵌段共聚物层。用于溶解嵌段共聚物及形成嵌段共聚物溶液的溶剂系统可包含任何适合溶剂，所述溶剂包括但不限于：甲苯、丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇单甲醚(PGME)及丙酮。

半导体结构的尺寸典型地受到用于对半导体结构的物理特征构图的光刻工具的最小可印刷尺寸的限制。相关技术中，将最小可印刷尺寸称为“临界尺寸”，其被定义为具有采用可得的光刻工具形成的最小可印刷间距的最窄平行线或最窄平行间隔的宽度。

尽管“光刻最小尺寸”和“亚光刻尺寸”仅关于可得的光刻工具来定义且通常随着半导体技术世代的不同而改变，但应理解，光刻最小尺寸和亚光刻尺寸应关于半导体制造时可得的光刻工具的最佳性能来定义。在本申请的申请日，光刻最小尺寸为约35nm，且预期未来还会缩小。

将亚光刻间距结构并入半导体结构需要在亚光刻间距结构与光刻间距结构之间的电接触。因此需要用于提供这样的电接触的结构。

发明内容

根据本发明的实施例，提供一种第一结构，该第一结构包括：第一多个导电线，其具有第一间距且被掩埋在至少一个介电层中，其中所述第一多个导电线中的每一个具有与第一垂直平面平行的侧壁对和位于第二垂直平面内的端壁，其中所述第一垂直平面与所述第二垂直平面之间的角小于45度；以及多个导电过孔，其中所述多个导电过孔中的每一个接触所述多个导电线之一的端部且被掩埋在所述至少一个介电层中，且其中所述第二垂直平面与所述多个导电过孔中的每一个相交。

根据本发明的另一方面，提供一种第二结构，该第二结构包括：第一多个导电线，其被掩埋在至少一个介电层中，且具有恒定宽度区域以及邻接所述恒定宽度区域的至少一个变动间隔区域，其中所述第一多个导电线在所述恒定宽度区域内具有恒定第一间距，且在所述至少一个变动间隔区域内在相邻的所述第一多个导电线的对之间具有变动距离，其中所述变动距离随着与所述恒定宽度区域的端部相距的横向距离而增大；以及具有第二间距的多个导电过孔，其中所述多个导电过孔中的每一个接触所述多个导电线之一的端部且被掩埋在所述至少一个介电层中，其中所述第二间距大于所述第一间距。

根据本发明的又一方面，提供一种第三结构，该第三结构包括：第一多个导电线，其具有第一间距且被掩埋在至少一个介电层中；以及第二多个导电线，其被掩埋在所述至少一个介电层中且具有第二间距，其中所述第二间距大于所述第一间距，且所述第二多个导电线中的至少一个被电阻式(resistively)连接至所述第一多个导电线中的至少两个。

根据本发明的再一方面，提供一种形成结构的方法，该方法包括：在衬底上形成具有第一间距的第一多个导电线，其中所述第一多个导电线中的每一个具有与第一垂直平面平行的侧壁对；采用光致抗蚀剂对所述第一多个导电线进行构图，所述光致抗蚀剂具有沿着第二垂直平面的侧壁，其中所述构图的第一多个导电线中的每一个的端壁形成在所述第二垂直平面内，其中所述第一垂直平面与所述第二垂直平面之间的角小于45度；在所述构图的第一多个导电线之上形成介电层；以及在所述介电层中形成多个导电过孔，其中所述多个导电过孔中的每一个接触所述多个导电线之一的端部，且所述第二垂直平面与所述多个导电过孔中的每一个相交。

根据本发明的再一方面，提供另一种形成结构的方法，该方法包括：形成第一多个导电线，所述第一多个导电线具有恒定宽度区域以及邻接所述恒定宽度区域的至少一个变动间隔区域，其中所述第一多个导电线在所述恒定宽度区域内具有恒定第一间距，且在所述至少一个变动间隔区域内在相邻的所述第一多个导电线的对之间具有变动距离，其中所述变动距离随着与所述恒定宽度区域的端部相距的横向距离而增大；在所述多个导电线上形成介电层；以及在所述介电层内形成具有第二间距的多个导电过孔，其中所述多个导电过孔中的每一个接触所述多个导电线之一的端部，其中所述第二间距大于所述第一间距。