[发明专利]发射辐射的半导体器件

权利要求书

1.发射辐射的半导体器件，所述半导体器件包括

-发光二极管芯片(1)，所述发光二极管芯片具有

-至少两个可彼此无关地工作的发射区域(2a、2b)，

-至少两个以不同方式构建的转换元件(31、32)，其中

-每个所述发射区域(2a、2b)均设置用于在所述发光二极管芯片(1)工作时产生电磁初级辐射，

-每个发射区域(2a、2b)均具有发射面(21、22)，所述初级辐射的至少一部分通过所述发射面从所述发光二极管芯片(1)耦合输出，

-所述转换元件(31、32)设置用于吸收所述初级辐射的至少一部分并且再发射次级辐射，

-以不同方式构建的所述转换元件(31、32)设置在不同的发射面下游，

-电阻元件(4)，所述电阻元件与所述发射区域(2a、2b)中的至少一个串联或并联连接。

2.根据前一项权利要求所述的发射辐射的半导体器件，

-其中所述阻抗元件(4)集成在所述发光二极管芯片(1)中。

3.根据前述权利要求之一所述的发射辐射的半导体器件，

-其中所述阻抗元件(4)施加在所述发光二极管芯片(1)的外表面上。

4.根据前述权利要求之一所述的发射辐射的半导体器件，

-其中所述阻抗元件(4)设置在所述发光二极管芯片(1)的所述发射面(21、22)之下。

5.根据前述权利要求之一所述的发射辐射的半导体器件，

-其中所述阻抗元件(4)构成为施加在所述发光二极管芯片的外表面上的层。

6.根据前一项权利要求所述的发射辐射的半导体器件，

-其中所述层具有多个导电区段(41)，其中为了调节所述阻抗元件(4)的阻抗而将所述区段中的至少一个切断，使得在所述发光二极管芯片(1)工作时没有电流流过该区段。

7.根据前述权利要求之一所述的发射辐射的半导体器件，

-其中所述层设置在所述发光二极管芯片(1)的也包括所述发射面(21、22)的主面(1a)上。

8.根据前述权利要求之一所述的发射辐射的半导体器件，

-其中所述层设置在所述发光二极管芯片(1)的与所述发射面(21、22)对置的主面(1b)上。

9.根据前述权利要求之一所述的发射辐射的半导体器件，

-其中所述层由金属组成。

10.根据前述权利要求之一所述的发射辐射的半导体器件，

-其中所述层由掺杂的半导体材料组成，其中对于所述区段(41)的切断(42)附加地或者可替选地借助掺杂调节所述阻抗元件(4)的阻抗。

11.根据前述权利要求之一所述的发射辐射的半导体器件，

-其中每个发射区域(21、22)下游均设置有转换元件(31、32)，其中所述初级辐射和所述次级辐射相应地混合为白色的混合光。

12.根据前述权利要求之一所述的发射辐射的半导体器件，

-其中以不同方式构建的所述转换元件(31、32)在其厚度(D)方面彼此区别。

13.根据前述权利要求之一所述的发射辐射的半导体器件，

-其中在所述发光二极管芯片(1)工作时，从每个发射面(21、22)发射白色的混合光，其中至少两个不同的发射区域(2a、2b)的混合光在色度坐标和/或色温和/或亮度方面彼此区别。

14.根据前述权利要求之一所述的发射辐射的半导体器件，

-其中至少一个发射面(21)在横向方向上被至少一个其他的发射面(22、23、24、25)围绕。

15.根据前述权利要求之一所述的发射辐射的半导体器件，

-其中用于接触所述发光二极管芯片(1)的至少一个发射区域(2a、2b)的至少一个印制导线(65)设置在至少一个发射面(21、22)之下。