[发明专利]具有改进型存储器块切换的半导体存储器

权利要求书

1.一种操作非易失性存储系统的方法，包括：

将第一组非易失性存储元件设置为激活状态，所述将第一组非易失性存储元件设置为激活状态包括将多个第一控制线偏压至一个或多个未被选电压，每个第一控制线被耦合至所述第一组非易失性存储元件的子集；

将第二组非易失性存储元件设置为非激活状态，所述第二组非易失性存储元件的子集的每个非易失性存储元件被耦合至多个第二控制线之一；以及

将所述第二组非易失性存储元件从所述非激活状态转变为所述激活状态，所述转变包括：在所述多个第一控制线和所述多个第二控制线之间共享电荷。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

当所述第二组非易失性存储元件处于所述非激活状态时，浮置所述多个第二控制线；

当所述第二组非易失性存储元件处于所述激活状态时，从所述第二组非易失性存储元件读数据；及

将所读出的数据输出至主机。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中：

所述激活状态是读状态。

4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其中：

所述转变包括控制电荷转移电路，所述电荷转移电路被耦合至所述多个第一控制线和所述多个第二控制线二者，所述电荷转移电路包括开关，所述转变包括在电荷共享期间关断所述开关，以防止所述一个或多个未被选电压耦合至所述多个第一控制线。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中：

所述第一组非易失性存储元件是第一存储器块的一部分；

所述第二组非易失性存储元件是第二存储器块的一部分，所述第一存储器块和所述第二存储器块在共同的存储器隔间中；

所述多个第一控制线包括多个位线；且

所述非易失性存储元件包括两端非易失性存储器单元。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中：

所述转变包括锁存第一块使能信号，所述第一块使能信号是电荷转移电路的输入，所述电荷转移电路被耦合至所述多个第一控制线及所述多个第二控制线，所述第一块使能信号在所述转变期间控制所述多个第一控制线与所述多个第二控制线的电耦合；且

所述转变包括将所述第一组非易失性存储元件从所述激活状态改变为所述非激活状态。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中：

所述转变包括锁存第一块使能信号，所述第一块使能信号控制第一开关，所述第一开关控制所述多个第一控制线与中间节点的电耦合；且

所述转变包括产生第二块使能信号，所述第二块使能信号控制第二开关，所述第二开关控制所述多个第二控制线与所述中间节点的电耦合，所述转变包括：所述第一块使能信号接通所述第一开关，同时所述第二块使能信号接通所述第二开关。

8.一种非易失性存储系统，包括：

非易失性存储元件，包括所述非易失性存储元件的第一集合和所述非易失性存储元件的第二集合；

多个第一控制线，每个第一控制线被耦合至非易失性存储元件的所述第一集合的相应子集；

多个第二控制线，每个第二控制线被耦合至非易失性存储元件的所述第二集合的相应子集；及

耦合至所述多个第一控制线和所述多个第二控制线的电荷转移电路，所述电荷转移电路包括第一开关，在为非易失性存储元件的所述第二集合建立读条件时，所述第一开关控制在所述多个第一控制线和所述多个第二控制线之间的电荷共享。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储系统，其中：

所述多个第一控制线包括多个未被选位线，在所述建立读条件之前所述多个未被选位线被偏压至一个或多个未被选位线电压。

10.根据权利要求8或9所述的非易失性存储系统，其中：

所述电荷转移电路包括第二开关，所述第二开关在电荷共享期间关断，以防止一个或多个未被选电压与所述多个第一控制线的电耦合。