[发明专利]用于形成层的设备

权利要求书

1.一种层沉积设备，包括：

加载锁定室，衬底加载到所述加载锁定室中；

传送室，所述传送室具有传送所述衬底的传送机器人；

反应室，所述反应室从所述传送机器人接收所述衬底并在所述衬底上生长至少一个外延层；

工艺独立反应室，所述工艺独立反应室接收所述衬底并在所述衬底上形成至少一个外延层；以及

气体分配器，所述气体分配器向所述反应室和所述工艺独立反应室供应处理气体。

2.根据权利要求1所述的层沉积设备，其中所述反应室在所述衬底上外延生长n型层和有源层。

3.根据权利要求1所述的层沉积设备，其中所述工艺独立反应室在所述有源层上外延生长p型层。

4.根据权利要求1所述的层沉积设备，还包括一个或多个反应室，每个反应室从所述传送机器人接收衬底并在所述衬底上生长至少一个外延层，其中所述传送机器人从所述多个反应室向所述工艺独立反应室相继传送衬底。

5.一种层沉积方法，包括：

由设置在传送室中的传送机器人将位于加载锁定室中的衬底加载到所述传送室中；

将所述衬底传送到反应室；

在所述反应室中在所述衬底上形成至少一个外延层；

通过所述传送机器人将所述衬底从所述反应室传送到工艺独立反应室；

向所述反应室供应第二衬底，并在所述反应室中在所述第二衬底上形成至少一个外延层；

在所述工艺独立反应室中在所述衬底上形成至少一个外延层；

通过所述传送机器人将所述衬底从所述工艺独立反应室传送到所述加载锁定室；以及

将所述第二衬底传送到所述工艺独立反应室。

6.根据权利要求5所述的层沉积方法，其中所述反应室在所述衬底上外延生长n型层和有源层。

7.根据权利要求6所述的层沉积方法，其中所述工艺独立反应室在所述有源层上外延生长p型层。

8.根据权利要求5所述的层沉积方法，其中一个或多个反应室连接到所述传送室，其中每个反应室从所述传送机器人接收衬底并在所述衬底上生长至少一个外延层，其中所述传送机器人从所述多个反应室向所述工艺独立反应室相继传送衬底。