[发明专利]电泵浦的光电半导体芯片

权利要求书

1.电泵浦的光电半导体芯片(1)，具有：

-至少两个能产生辐射的量子阱(2)，所述能产生辐射的量子阱包括InGaN或者由其组成；以及

-至少两个覆层(4)，所述覆层包括AlGaN或者由其组成，

其中，

-所述覆层(4)中的每个与所述能产生辐射的量子阱(2)中的刚好一个相关联，

-所述覆层(4)各位于所述能产生辐射的量子阱(2)的p侧上，并且

-在所述能产生辐射的量子阱(2)与相关联的所述覆层(4)之间的距离为最高1.5nm。

2.根据前一项权利要求所述的光电半导体芯片(1)，其中，层序列(8)重复3至20次，

其中，相邻的层序列(8)直接互相紧随，

并且其中，所述层序列(8)由以列出的顺序直接互相紧随的层组成：

-所述能产生辐射的量子阱(2)；

-具有GaN或者由其组成的中间层(3)；

-所述覆层(4)；以及

-势垒层(5)，所述势垒层包括GaN或者由其组成，

并且其中，此外，所述覆层(4)的厚度在0.5nm和1.0nm之间，并且所述中间层(3)具有在0.4nm和0.8nm之间的厚度，并且在两个沿生长方向相互紧随的覆层(4)之间的距离在4nm和6nm之间。

3.根据前述权利要求之一所述的光电半导体芯片(1)，其中所述覆层(4)的Al含量在20％和70％之间。

4.根据前述权利要求之一所述的光电半导体芯片(1)，其中所述覆层(4)的厚度或平均厚度在0.3nm和1.5nm之间。

5.根据前述权利要求之一所述的光电半导体芯片(1)，所述光电半导体芯片具有至少两个中间层(3)，所述中间层包括GaN或由其组成，并且在所述中间层中，每个都位于所述覆层(4)和所述相应地相关联的能产生辐射的量子阱(2)之间。

6.根据前一项权利要求所述的光电半导体芯片(1)，其中，所述中间层(3)具有在0.3nm和1.2nm之间的厚度，并且其中，所述覆层(4)的Al含量在40％和70％之间。

7.根据前述权利要求之一所述的光电半导体芯片(1)，其中，在所述能产生辐射的量子阱(2)、所述覆层(4)和/或所述中间层(3)之间的过渡区域(23、24、34)具有在一个和三个单层之间的厚度。

8.根据前述权利要求之一所述的光电半导体芯片(1)，其中，在所述能产生辐射的量子阱(2)和相应地相关联的覆层(4)之间的距离为最高两个单层，并且其中，所述覆层(4)的Al含量在20％和50％之间。

9.根据前述权利要求之一所述的光电半导体芯片(1)，所述光电半导体芯片包括3至20个能产生辐射的量子阱。

10.根据前述权利要求之一所述的光电半导体芯片(1)，其中，在两个沿生长方向相互紧随的覆层(4)之间的距离在3nm和8nm之间。

11.根据前述权利要求之一所述的光电半导体芯片(1)，其中，所述能产生辐射的量子阱(2)的带隙分别在2.55eV和3.0eV之间。

12.根据前述权利要求之一所述的光电半导体芯片(1)，其中，所述中间层(4)的平均带隙各为所述相关联的能产生辐射的量子阱(2)的平均带隙的至少120％。

13.根据前述权利要求之一所述的光电半导体芯片(1)，其中，至少两个相邻的能产生辐射的量子阱(2)具有彼此不同的平均带隙，其中所述差异在0.03eV和0.20eV之间。