[发明专利]为结晶硅太阳能电池制造发射电极的方法和相应的硅太阳能电池

权利要求书

1.一种用于为硅晶片上的结晶的硅太阳能电池制造正面发射电极作为正面触点的方法，其中在硅晶片的正面中产生用于正面触点的凹陷，并且在产生正面的n掺杂的硅层和施加抗反射层之后，将膏状物或者油墨引入到所述凹陷中，所述膏状物或者油墨包含导电的金属粒子和腐蚀性玻璃熔料，其中膏状物或者油墨此后在短时加热或者退火之后腐蚀穿透抗反射层至n掺杂的硅层并且电接触该n掺杂的硅层，其中然后在所述凹陷中将导电的正面触点金属电镀地积聚或者施加到经退火的膏状物或者油墨上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在电镀地积聚或者施加正面触点金属时以确定的顺序施加多种金属，优选首先施加镍作为扩散屏障，以便阻止此后施加的铜向内扩散到硅中，稍后施加铜，并且最后施加锡以用于防止铜被氧化。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，膏状物中的金属粒子具有纳米粒子，所述纳米例子带有银，特别是带有膏状物的固体部分的30％到70％的部分，优选40％到60％。

4.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述凹陷由正面触点金属填充至少至30％，优选至约50％到60％。

5.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述凹陷通过激光器产生，优选具有50μm到100μm之间的宽度和具有特别是15μm到40μm的深度。

6.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述膏状物或者油墨借助注射方法或者喷墨方法引入到凹陷中。

7.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述膏状物仅被引入到凹陷中。

8.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，利用正面触点金属将正面触点积聚或者施加到经退火的膏状物上通过光感生电镀或者光支持电镀进行。

9.一种用根据上述权利要求之一所述的方法制造的硅太阳能电池，其特征在于，凹陷用正面触点金属填充到约一半。

10.根据权利要求9所述的硅太阳能电池，其特征在于，所述硅太阳能电池的制成的金属正面触点具有相应于凹陷的约60μm到80μm的宽度和约10μm到20μm的高度。