[发明专利]紫外线照射装置

权利要求书

1.一种紫外线照射装置，其特征在于：

在具有紫外线透过窗的真空密封的容器内，配设至少1个以上的半导体多层膜元件、和对该半导体多层膜元件照射电子束的电子束放射源而成，

该半导体多层膜元件具备活性层和金属膜，所述活性层具有基于In_xAl_yGa_1-x-yN的单一量子阱构造或者多重量子阱构造，所述金属膜由在该活性层的上表面形成的铝或者铝合金的金属粒子构成并具有该金属粒子所构成的纳米构造，其中0≤x＜1、0＜y≤1、x+y≤1，

通过对所述半导体多层膜元件照射来自所述电子束放射源的电子束，经由所述紫外线透过窗向外部放射紫外线。

2.根据权利要求1所述的紫外线照射装置，其特征在于：

构成所述金属膜的金属粒子具有下述式1所示的范围的粒径，

[式1]

λϵm′(λ)ϵb(λ)ϵm′(λ)+ϵb(λ)+ϵb(λ)≤a≤λϵm′(λ)ϵb(λ)ϵm′(λ)+ϵb(λ)-ϵb(λ)]]>

其中，

λ：从半导体多层膜元件放射的紫外线的波长[nm]；

a：构成金属膜的金属粒子的粒径[nm]；

ε′_m(λ)：金属膜的感应函数的实部；

ε_b(λ)：与金属膜相接的半导体层的感应函数。