[发明专利]荧光体

说明书

技术领域

本发明涉及荧光体。更详细地说，本发明涉及可以被青色LED或近紫外LED所激发、发出可见光的荧光体。

背景技术

目前照明用光源的主流为荧光灯或白炽灯泡，但对于将LED(发光二极管)用于光源的情况来说，与荧光灯等相比，其消耗电力少、寿命也长，在即使用手接触也不会烫等的安全性方面也很优异，并且不含有水银等有害物质，在环境方面也很优异，期待其近期成为照明用光源的主流。

目前的白色LED是由青色LED与YAG:Ce(黄)组合而构成的，在显示出自然成色性的显色性方面差，特别是在利用目前这样的白色LED照射红色物体或人体肌肤时也会具有无法再现由自然光照射下的颜色的问题。因此，作为对目前这样的白色LED的显色性进行改善的方法，针对将近紫外LED与红、绿、青3种荧光体进行组合、或将青色LED与红、绿两种荧光体进行组合来构成白色LED的情况进行了研究，作为该目的中所使用的绿色荧光体，公开了SrGa₂S₄:Eu(参照专利文献1、2和3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-060747号公报

专利文献2：日本特开2007-056267号公报

专利文献3：日本特开2007-214579号公报

发明内容

发明所要解决的课题

对于以往所公开的以SrGa₂S₄:Eu为代表的由斜方晶构成的荧光体来说，需要进一步提高发光效率。为了提高发光效率，据说使用外量子效率(＝内量子效率×吸收率)高的荧光体是很重要的。然而，在例如如上所述将近紫外LED或青色LED与荧光体进行组合来得到白色光的情况下，需要增高荧光体的内量子效率以提高外量子效率、或者提高荧光体的发光强度。

因此，本发明拟提供内量子效率进一步提高的荧光体。

用于解决课题的手段

本发明提出了一种荧光体，其为含有含Ga和S的斜方晶结晶的荧光体，该荧光体的特征在于：在上述斜方晶结晶的使用了CuKα射线的XRD图谱中，在衍射角2θ＝16.0～18.0°出现的最大峰的衍射强度相对于在衍射角2θ＝23.6～24.8°出现的最大峰的衍射强度的比例为0.4以上；或者在衍射角2θ＝33.6～36.0°出现的最大峰的衍射强度相对于在衍射角2θ＝37.5～39.5°出现的最大峰的衍射强度的比例为0.7以上；或者满足这二者。

对于具有上述特征的本发明的荧光体来说，其具有如下特征：可被波长250nm～510nm的光(即近紫外光～青色光)、特别是被青色LED(波长450nm左右)效率良好地激发而发出可见光，且内量子效率显著提高。

因而，例如在将作为激发源的青色LED与本发明的荧光体进行组合来构成白色发光元件乃至装置的情况下，由于内量子效率高因而发光效率高，可以得到更为充分的白色光。并且，即使在针对有限特性的LED来组合有限量的荧光体的情况下，也可以得到充分的发光量。

附图说明

图1为在由下述横轴和纵轴构成的坐标上对实施例1-19和比较例1-9中得到的荧光体粉末的值进行绘图而得到的图，其中，横轴为在衍射角2θ＝16.0～18.0°出现的最大峰的衍射强度相对于在衍射角2θ＝23.6～24.8°出现的最大峰的衍射强度的比例，纵轴为内量子效率(％)。

图2为在由下述横轴和纵轴构成的坐标上对实施例1-19和比较例1-9中得到的荧光体粉末的值进行绘图而得到的图，其中，横轴为在衍射角2θ＝33.6～36.0°出现的最大峰的衍射强度相对于在衍射角2θ＝37.5～39.5°出现的最大峰的衍射强度的比例，纵轴为内量子效率(％)。

图3为实施例1的XRD图谱。

图4为比较例1的XRD图谱。

图5为比较例5的XRD图谱。

具体实施方式

下面对本发明的实施方式进行详细叙述，但本发明的范围并不受以下说明的实施方式的限定。

(本荧光体)

本实施方式的荧光体(下文中称为“本荧光体”)为含有含Ga和S的母体结晶、与活化剂(也称为“发光中心”)的荧光体。

(母体结晶)