[发明专利]热辅助磁记录介质和磁存储装置

权利要求书

1.一种热辅助磁记录介质，具有：基板；形成于该基板上的基底层；和形成于该基底层上的以具有L1₀结构的FePt合金或具有L1₀结构的CoPt合金为主成分的磁性层，其特征在于，

该基底层由第1基底层、第2基底层和第3基底层构成，

所述第1基底层由非晶合金构成，

所述第2基底层由以Cr为主成分、并且含有Ti、Mo、W、V、Mn、Ru之中的至少1种元素的BCC结构的合金构成，

所述第3基底层由MgO构成。

2.一种热辅助磁记录介质，具有：基板；形成于该基板上的基底层；和形成于该基底层上的以具有L1₀结构的FePt合金或具有L1₀结构的CoPt合金为主成分的磁性层，其特征在于，

该基底层由第1基底层和第2基底层构成，

所述第1基底层由非晶合金构成，

所述第2基底层由以Cr为主成分、并且含有Ti、Mo、W、V、Mn、Ru之中的至少1种元素的BCC结构的合金构成。

3.根据权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，所述第2基底层还含有B、C、Si之中的至少1种元素。

4.根据权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，所述第1基底层含有Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、W、Mo、B、Si、C之中的至少1种元素和Ni。

5.根据权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，所述第1基底层含有Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、W、Mo、B、Si、C之中的至少1种元素和Co。

6.根据权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，所述第1基底层含有Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、B、Si、C之中的至少1种元素和Cr。

7.根据权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，所述第1基底层含有Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、B、Si、C之中的至少1种元素和Cu。

8.根据权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，所述第1基底层含有Pd、Mo、W、Ti、Zr、Mn、Ta、Nb之中的至少1种元素，并且，含有Si、B、C之中的至少1种元素。

9.根据权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，在所述基板和所述第1基底层之间形成有热沉层。

10.根据权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，在所述基板和所述第1基底层之间形成有软磁性基底层，所述软磁性基底层由相互反铁磁性耦合了的软磁性合金构成。

11.一种磁存储装置，由磁记录介质、用于使该磁记录介质旋转的介质驱动部、用于加热该磁记录介质的激光发生部、具备将从该激光发生部发生的激光引导到磁头前端的波导的磁头、用于使该磁头移动的磁头驱动部和记录再生信号处理系统构成，其特征在于，该磁记录介质是权利要求1～10的任一项所述的热辅助磁记录介质。