[发明专利]处理室的清洁

权利要求书

1.一种利用清洁气体冲击来清洁在处理室内部区域中配置的至少一个组件的表面的方法，所述清洁气体包括氟气，其中所述处理室具有至少一个电极和对应电极来生成等离子体，所述等离子体用于对基底进行等离子体处理，特别是用于对表面积大于1m²的平面基底进行CVD-或者PECVD-处理，其特征在于，

-用总-分压大于5mbar的氟气或气态氟化合物冲击待清洁的组件；

和/或

-热活化氟气或气态氟化合物；以及

加热待清洁组件至温度＜350℃。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，用总-分压大于5mbar的氟气或者气态氟化合物来冲击所述内部区域。

3.根据上述权利要求中任一项的方法，其特征在于，在利用清洁气体冲击之前，利用等离子体处理优选用硅或含硅化合物层进行涂覆的基底，并且至少在待清洁的组件上形成了优选硅或含硅化合物的残渣。

4.根据上述权利要求中任一项的方法，其特征在于，当利用清洁气体冲击之前，利用等离子体处理被腐蚀的基底，并且至少在待清洁的组件上形成了优选硅或含硅化合物的残渣。

5.根据上述权利要求中任一项的方法，其特征在于，电极、对应电极、电极所配置的气体分流器、对应电极所配置的基底-支撑面或者处理室的锅炉壁面的部分区域中的至少一部分作为待清洁的表面，和/或在使用清洁气体进行冲击过程中，待清洁表面的温度最高达到等离子体处理时温度的1.8倍，优选低于60℃，特别优选低于20℃。

6.根据权利要求5的方法，其特征在于，避免在电极、对应电极、气体分流器、基底-支撑面和/或处理室的锅炉壁面的表面区域上形成残渣，特别是通过结构-机械或结构-电覆盖装置。

7.根据权利要求6的方法，其特征在于，优选通过基底对基底-支撑面进行覆盖，利用这种方法避免在等离子体处理过程中基底-支撑面生成残渣。

8.根据权利要求7的方法，其特征在于，支撑装置的至少部分表面被选为待清洁表面，其中所述支撑装置配置至基底-支撑面。

9.根据上述权利要求中任一项的方法，其特征在于，将电极和/或装配在电极上的气体分流器的至少部分用作进行氟气和/或气态氟化合物热活化的装置。

10.根据上述权利要求中任一项的方法，其特征在于，将对应电极和/或装配在对应电极上的基底-支撑面的至少部分作为进行氟气和/或气态氟化合物的热活化的装置。

11.根据上述权利要求中任一项的方法，其特征在于，除了氟气之外，将惰性气体，特别是氮或氩用作清洁气体。

12.根据上述权利要求中任一项的方法，其特征在于，清洁气体的等离子体激发在处理室之内和/或之外进行，和/或热活化在处理室之外进行。

13.根据上述权利要求中任一项的方法，其特征在于，在利用清洁气体的冲击过程中，电极所配置的气体分流器的排气板与对应电极所配置的基底-支撑面之间的距离被设置为2mm至100mm。

14.一种处理室，所述处理室具有至少一个电极和对应电极，所述电极和对应电极用于形成用于基底的等离子体处理的等离子体，并且所述处理室指定并限定用于根据上述权利要求任一项所进行的方法，其中

用于利用总-分压大于5mbar的氟气或气态氟化合物对待清洁组件进行冲击的装置

和/或

对氟气或者气态氟化合物进行热活化并将待清洁组件加热至温度＜350℃的装置。

15.根据权利要求14的处理室，其特征在于，所述对氟气或者气态氟化合物进行热活化的装置包括电极、电极所配置的气体分流器、对应电极、对应电极所配置的基底-支撑面和/或处理室外部所配置的热活化装置的至少部分。

16.根据权利要求14或15的处理室，其特征在于，设置了在等离子体处理过程中，用于避免在电极、对应电极、气体分流器和/或基底-支撑面上形成残渣的覆盖装置。

17.根据权利要求16的处理室，其特征在于，设置了配置在对应电极上的基底-支撑面，在对基底进行等离子体处理的过程中，优选地通过基底进行覆盖，以使在等离子体处理过程中不在所述基底-支撑面上形成残渣。