[发明专利]太阳能电池模块和太阳能电池系统无效
申请号: | 201080036341.4 | 申请日: | 2010-09-16 |
公开(公告)号: | CN102473760A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 藤嶋大介;中村优也;德冈望;木下敏宏 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 模块 系统 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池、太阳能电池模块和太阳能电池系统。
背景技术
太阳能电池因为能够将太阳光转变为电,所以作为对环境的负担少的新电源而被期待,在近年,在一般家庭用发电系统、大规模发电设备等的太阳能电池系统和各种应用商品中的利用正在积极推进。在这样的状況中,为了太阳能电池进一步的普及,正在积极进行高性能化等的研究开发。
太阳能电池系统例如包含一个或者多个太阳能电池模块而形成,太阳能电池模块根据太阳能电池系统、应用商品等的用途,由一个太阳能电池构成或电串联连接多个太阳能电池而构成。
在太阳能电池中,作为电极有时使用含有透明导电膜和该透明导电膜上的集电极的结构。这样的透明导电膜优选电阻小且能够使太阳能电池的输出大。历来,作为具有透明导电膜的太阳能电池,已知具有由含有锡(Sn)的氧化铟(ITO)构成的透明导电膜的太阳能电池。为了这样的太阳能电池的高性能化,期待使透明导电膜的电阻进一步变小,并使太阳能电池单元的输出进一步变大。
透明导电膜还被利用于液晶显示器等,例如公开有由添加有铈(Ce)的氧化铟构成的透明导电膜(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平8-260134号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是,当将含有添加有铈的氧化铟的透明导电膜适用于太阳能电池时,具有难以得到太阳能电池的良好的输出的问题。
本发明是鉴于上述问题而完成的,提供具有能进行良好输出的透明导电膜的太阳能电池、具有该太阳能电池的太阳能电池模块和太阳能电池系统。
用于解决课题的方法
本发明的一个方面涉及的太阳能电池,包含:p型或n型的结晶类半导体衬底;在该衬底的主面上形成的p型半导体层;和在上述衬底的另外的主面上形成的n型半导体层,所述太阳能电池的特征在于:在上述p型半导体层上形成有第一透明导电膜,上述第一透明导电膜包含含有氢和铈的氧化铟;在所述n型半导体层上形成有第二透明导电膜,上述第二透明导电膜包含不含有铈的氧化铟。
本发明的一个方面涉及的太阳能电池模块,其特征在于:具有上述任意的太阳能电池。
本发明的一个方面涉及的太阳能电池系统,其特征在于:具有上述的太阳能电池模块。
发明效果
能够提供具有能进行太阳能电池的良好输出的透明导电膜的太阳能电池、具有该太阳能电池的太阳能电池模块和太阳能电池系统。
附图说明
图1(a)是本发明的一个实施方式的太阳能电池的俯视图,图1(b)是该太阳能电池的仰视图。
图2(a)是沿图1(a)中的A-A′线的本发明的一个实施方式的太阳能电池单元的概略截面图,图2(b)是将该太阳能电池的表面附近放大的截面图。
图3是本发明的一个实施方式的太阳能电池模块的俯视图。
图4是本发明的一个实施方式的太阳能电池模块的立体图。
图5是沿图3的A-A′线的本发明的一个实施方式的太阳能电池模块的截面图。
图6是表示本发明的一个实施方式的太阳能电池的透明导电膜的表面电阻率与该透明导电膜中的铈(Ce)的浓度的关系的图。
图7是表示本发明的一个实施方式的太阳能电池的输出与该太阳能电池的透明导电膜中的铈(Ce)的浓度的关系的图。
图8表示本发明的一个实施方式的实施例和比较例的太阳能电池的透明导电膜的结构、该透明导电膜的表面电阻率和太阳能电池特性。
图9是实施例2、比较例1、比较例2和比较例8的透明导电膜的X线衍射图案附图。
图10是表示本发明的一个实施方式的实施例和比较例的太阳能电池的透明导电膜的(400)取向的X线衍射峰(peak)的2θ(θ:X线衍射角)和半辐值的图。
图11是表示本发明的一个实施方式的实施例和比较例的太阳能电池的透明导电膜的(440)取向的X线衍射峰的2θ(θ:X线衍射角)和半辐值的图。
图12是表示本发明的一个实施方式的实施例的太阳能电池和比较例的太阳能电池的耐湿性实验的结果的图。
图13是表示本发明的一个实施方式的太阳能电池的n型非晶硅层上的透明导电膜为由含有氢和钨的氧化铟构成的透明导电膜的情况下和为比较例的由含有氢和铈的氧化铟构成的透明导电膜的情况下的特性的图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的