[发明专利]半导体激光器驱动器件以及具有半导体激光器驱动器件的成像装置

说明书

技术领域

本发明总地涉及半导体激光器驱动器件以及具有该半导体激光器驱动器件的成像装置。

背景技术

半导体激光器(即，激光二极管，LD)一般具有相比于其它半导体组件相对短的寿命，并且LD等的发射控制器一般配置为检测LD随着时间的劣化，以便在劣化的LD实际坏掉之前，用新的LD替换劣化的LD。

在可替换的用于检测LD劣化的技术中，LD配置为使得随时间持续监控流入LD的电流以检测LD劣化。例如，如果在半导体激光器驱动器件装配线(assembly line)中的每个处理中监控流入LD的电流，可以立即弄清楚哪一个处理已经出现了LD劣化。于是，可以立即检测到LD劣化并且可以在更早的阶段以新的LD替换劣化的LD。

作为现有技术的用于检测LD劣化的一个示例，日本特开专利申请公开第2000-280522号(也称为“专利文献1”)公开了一种能够通过监控经电流-电压转换的电压来检测LD劣化的成像装置，其中激光二极管LD和电阻器R以串联方式连接使得对经电流-电压转换的电压进行监控。同样地，作为另一实施例，日本特开专利申请公开第09-289493号(也称为“专利文献2”)公开了能够通过使用流入光学传送器的元件中的电流来检测LD劣化的光学传送器。公开的光学传送器包括：电流镜电路，其配置为产生LD电流(用于使LD发出激光束的电流)；以及电阻器或晶体管，其提供在电流镜电路的输入侧，用于通过使用在所提供的电阻器或晶体管与电流镜电路的各元件之间流动的电流来限制浪涌电流。此外，作为又一示例，日本特开专利申请公开第08-295048号(也称为“专利文献3”)公开了一种能够通过提供LD劣化检测器来检测LD劣化的成像装置。在所公开的成像装置中，LD劣化检测器配备有用以检测LD劣化的LD连接端子。

然而，如专利文献1公开的成像装置中例示的，如果电阻器R串联地连接到LD，则在朝向LD的输出电流线中产生电阻负载和寄生电容组件，这可能阻止LD驱动器件的高速工作。类似地，在专利文献2公开的光学传送器中，在电流镜电路的输入侧产生电阻负载和寄生电容组件。此外，在专利文献3公开的成像装置中，在LD输出线中产生电阻负载。

进一步，在公开的专利文献1-3中，由于在LD驱动器件的主电路中并入负载，因此可能不能容易地控制负载的值。例如，如果负载作为半导体电路并入主电路中，则电流监控或涌浪电流检测的精度可能由于电阻器和各元件的可变化性而降低。结果，为了改进检测精度，发射控制器等可能需要在电气上执行复杂的细调，这可能导致耗费时间的工作。

发明内容

据此，已经进行尝试提供如下的新颖有用的半导体激光器驱动器件：其能够监控流入LD发射主电路(使LD发射激光束的主电路)的电流并且在没有外部复杂的细调并且以最小的电阻负载应用于LD发射主电路的情况下检测过电流。此外，本发明提供一种包括这种半导体激光器驱动器件的成像装置。

在一个实施例中，提供了一种以驱动电流输出端子输出的驱动电流来驱动半导体激光器的半导体激光器驱动器件。所述半导体激光器驱动器件包括：驱动电流监控端子，其配置为输出具有所述驱动电流的1/α的值的驱动电流监控电流；电流-电压转换电阻器，其与驱动电流监控端子相连接并且配置为将具有所述驱动电流的1/α的值的驱动电流监控电流转换成对应的驱动电流监控电压；以及检测器，其配置为产生参考电压并且检测所述对应的驱动电流监控电压是否已经达到参考电压。

在另一实施例中，提供了一种以驱动电流输出端子输出的驱动电流来驱动半导体激光器的半导体激光器驱动器件。所述半导体激光器驱动器件包括：驱动电流监控端子，其配置为输出具有所述驱动电流的1/α的值的驱动电流监控电流；电流-电压转换电阻器，其与驱动电流监控端子相连接并且配置为将具有所述驱动电流的1/α的值的驱动电流监控电流转换成对应的驱动电流监控电压；检测器，其配置为产生参考电压并且检测所述对应的驱动电流监控电压是否已经达到参考电压；以及警报单元，其配置为当所述对应的驱动电流监控电压已经达到参考电压时，外部地报告检测器的检测结果。

在另一实施例中，提供了一种包括上面提及的半导体激光器驱动器件之一的成像装置。

当结合附图阅读时，本发明的其它目标、特点和优点将从下面的详细描述中变得更加明显。

附图说明

图1是图示根据第一实施例的半导体激光器驱动器件的示意框图(部分电路图)；

图2是图示根据第二实施例的半导体激光器驱动器件的示意框图(部分电路图)；

图3是图示根据第三实施例的半导体激光器驱动器件的示意框图(部分电路图)；