[发明专利]聚合物、气体分离膜及聚合物的制造方法无效
| 申请号： | 201080036564.0 | 申请日： | 2010-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102471406A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 青木俊树;寺口昌宏;佐藤敬;山本武继 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人新泻大学;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | C08F38/00 | 分类号： | C08F38/00;B01D71/44;C08F8/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚合物 气体 分离 制造 方法 | ||
1.含有下式(1)所示重复单元的聚合物，
其中，R1表示氢原子、卤代基、取代或非取代烷基、取代或非取代芳香族烃基、取代或非取代芳香族杂环基、三烷基甲硅烷基或三烷基甲锗烷基，R2在各种情况下独立地用下式(2)表示，m为1以上5以下的整数，R2存在多个时，这些R2可相互相同也可不同，
其中，X在各种情况下独立地为一价基团，多个X可相互相同也可不同，至少1个X为含有卤原子的一价基团，p为0以上10以下的整数。
2.根据权利要求1所述的聚合物，其中，至少一个X为卤代基。
3.根据权利要求1所述的聚合物，其中，至少一个X为氟基。
4.根据权利要求2所述的聚合物，其中，所有的X为卤代基。
5.根据权利要求3所述的聚合物，其中，所有的X为氟基。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的聚合物，其中，所述R1为非取代苯基或下式(3)所示的取代苯基，
其中，R3在各种情况下独立地表示一价基团，n为1以上5以下的整数，R3存在多个时，这些R3可相互相同也可不同。
7.根据权利要求6所述的聚合物，其中，所述R1是式(3)所示的取代苯基，所述R3在各种情况下独立地为卤代基、取代或非取代烷基、取代或非取代芳香族烃基、取代或非取代芳香族杂环基、三烷基甲硅烷基或三烷基甲锗烷基。
8.根据权利要求6所述的聚合物，其中，所述R1是式(3)所示的取代苯基，所述R3在各种情况下独立地为卤代基、取代或非取代烷基或三烷基甲硅烷基。
9.根据权利要求6所述的聚合物，其中，所述R1是式(3)所示的取代苯基，所述R3在各种情况下独立地为氟基或三甲基甲硅烷基。
10.根据权利要求6所述的聚合物，其中，所述R1是式(3)所示的取代苯基，所述R3在各种情况下独立地为三甲基甲硅烷基。
11.根据权利要求1～5中任一项所述的聚合物，其中，所述R1为非取代苯基。
12.一种气体分离膜，其由权利要求1～11中任一项所述的聚合物构成。
13.一种聚合物的制造方法，其包括以下工序：
使下式(D)所示的二(卤代环烷基羧基)过氧化物或下式(E)所示的(卤代环烷基)苯基碘鎓三氟甲烷磺酸盐的任一者或两者与含有下式(C)所示重复单元的聚合物相接触，
其中，R1表示氢原子、卤代基、取代或非取代烷基、取代或非取代芳香族烃基、取代或非取代芳香族杂环基、三烷基甲硅烷基或三烷基甲锗烷基，
其中，X在各种情况下独立地为一价基团，多个X可相互相同也可不同，至少1个X为含有卤原子的一价基团，p在各种情况下独立地为0以上10以下的整数，2个p可相互相同也可不同，
其中，X在各种情况下独立地为一价基团，多个X可相互相同也可不同，至少1个X为含有卤原子的一价基团，p在各种情况下独立地为0以上10以下的整数、TfO-表示三氟甲烷磺酸离子。
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