[发明专利]叉指状竖直平行电容器有效
申请号: | 201080036668.1 | 申请日: | 2010-08-26 |
公开(公告)号: | CN102473710A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | R·A·小布思;D·D·库尔博;E·E·亨;何忠祥 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/768;H01L21/3205;H01L27/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 叉指状 竖直 平行 电容器 | ||
1.一种器件结构,包括:
位于衬底上的至少一个介电层(100);
嵌入在所述至少一个介电层中的多个叉指状结构,其中所述多个叉指状结构相互竖直间隔,并且所述多个叉指状结构中的每个包括至少一个第一金属线(10)、至少一个第二金属线(20)、以及至少一个第三金属线(110);
至少一个第一竖直导电过孔(112),其具有与所述至少一个第三金属线(110)中的一个竖直接触的顶表面,和与所述至少一个第三金属线(110)中的另一个竖直接触的底表面;以及
至少一个第二竖直导电过孔(22),其具有与所述至少一个第二金属线(20)中的一个竖直接触的顶表面,和与所述至少一个第二金属线(20)中的另一个竖直接触的底表面,
其中所述至少一个第一金属线(10)与所述至少一个第三金属线(110)中的全部均相互阻性地连接,并且与所述至少一个第二金属线(20)电隔离,以及所述至少一个第二金属线(20)中的全部均彼此或者相互阻性地连接。
2.根据权利要求1所述的器件结构,其中所述至少一个第一金属线(10)中的每个相对于所述至少一个第二金属线(20)中的一个横向间隔恒定间隔d(图1A)。
3.根据权利要求2所述的器件结构,其中所述至少一个第一金属线(10)中的每个具有贯穿的第一恒定宽度(图1A)。
4.根据权利要求3所述的器件结构,其中所述至少一个第二金属线(20)中的每个具有贯穿的第二恒定宽度(图1A),并且其中所述至少一个第一金属线(10)中的每个的侧壁整体相对于所述至少一个第二金属线(20)中的一个的侧壁横向贯穿地间隔所述恒定间隔。
5.根据权利要求2所述的器件结构,其中所述至少一个第一金属线(10)中的每个端部与所述至少一个第三金属线(110)中的一个横向接触。
6.根据权利要求2所述的器件结构,其中所述至少一个第一金属线(10)中的每个的全部顶表面和全部底表面以及成对侧壁表面与所述至少一个介电层(100)接触。
7.根据权利要求2所述的器件结构,其中所述多个叉指状结构中的一个的至少一个第一金属线(10)具有与所述多个叉指状结构中的另一个中的至少一个第一金属线的侧壁表面正交的侧壁表面。
8.根据权利要求2所述的器件结构,其中所述至少一个第一金属线(10)的全部侧壁表面相互平行。
9.根据权利要求2所述的器件结构,其中所述多个叉指状结构中的一个包括第三金属线(110)中的彼此不接触的两个。
10.根据权利要求2所述的器件结构,其中在所述多个叉指状结构的一个中的至少一个第三金属线(110)的全部均为一体构造并且具有相同材料成分。
11.根据权利要求1所述的器件结构,其中在所述多个叉指状结构中的一个内的至少一个第一金属线(10)和所述至少一个第三金属线(110)的全部均相互连续,并且具有相同材料成分(图2B)。
12.根据权利要求1所述的器件结构,还包括:
位于所述衬底上的半导体器件;以及
金属互连结构,包括至少另一个金属线,其具有与所述至少一个金属线中的一个的顶表面共面的顶表面,其中所述金属互连结构阻性地连接到所述半导体器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的