[发明专利]形成单壁碳纳米管的方法有效
| 申请号： | 201080036707.8 | 申请日： | 2010-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102548896A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陈元;杨艳辉 | 申请（专利权）人： | 新加坡南洋理工大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B01J29/035 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 徐国栋;林柏楠 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 单壁碳 纳米 方法 | ||
1.一种形成单壁碳纳米管的方法，所述方法包括使气体碳源与中孔TUD-1硅酸盐在合适的条件下接触，其中中孔TUD-1硅酸盐包含用于纳米管生长的催化有效金属。
2.根据权利要求1的方法，其中所述催化有效金属包含元素周期表族3-13的金属。
3.根据权利要求1或2的方法，其中所述方法包括进行化学气相沉积。
4.根据权利要求1-3中任一项的方法，其中元素周期表族3-13的金属为钴、镍和铁中至少一种。
5.根据权利要求1-4中任一项的方法，其中碳源选自CO、甲烷、甲醇、乙醇和乙炔。
6.根据权利要求1-5中任一项的方法，其中使气体碳源与中孔TUD-1硅酸盐在1至约10atm的压力下接触。
7.根据权利要求6的方法，其中所述压力为6atm。
8.根据权利要求1-7中任一项的方法，其中中孔TUD-1硅酸盐通过使TUD-1源硅酸盐还原而得到，其中TUD-1源硅酸盐为包含元素周期表族3-13的金属或金属氧化物的中孔TUD-1硅酸盐。
9.根据权利要求8的方法，其中所述TUD-1源硅酸盐的还原在升高的温度下进行。
10.根据权利要求8或9的方法，其中所述TUD-1源硅酸盐的还原通过暴露于H2下而进行。
11.根据权利要求9或10的方法，其中将所述TUD-1源硅酸盐在450℃或更高的温度下还原。
12.根据权利要求9-11中任一项的方法，其中将中孔TUD-1硅酸盐在至多1000℃的温度下还原。
13.根据权利要求9-12中任一项的方法，其中将中孔TUD-1硅酸盐在约500至约850℃的温度下还原。
14.根据权利要求1-13中任一项的方法，其中至少50％的所形成单壁碳纳米管具有手性指数(6，5)、(9，8)、(7，6)、(8，4)和(7，6)中之一。
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