[发明专利]具有基于二极管的偏压的堆叠式放大器

权利要求书

1.一种设备，其包含：

放大器，其包含

多个晶体管，其耦合成堆叠且用于接收并放大输入信号且提供输出信号，以及

至少一个二极管，其操作性地耦合到所述堆叠中的至少一个晶体管，每一二极管将可变偏压电压提供给所述堆叠中一相关联的晶体管。

2.根据权利要求1所述的设备，所述至少一个二极管包含操作性地耦合到所述堆叠中的单个晶体管的单个二极管，所述单个晶体管接收所述输入信号且为所述输入信号提供信号增益。

3.根据权利要求1所述的设备，所述至少一个二极管包含用于所述堆叠中的每一晶体管的一个二极管，每一二极管操作性地耦合到所述堆叠中一相关联的晶体管。

4.根据权利要求1所述的设备，每一二极管在高输入功率下具有跨所述二极管的较低电压降，且在高输入功率下将较高偏压电压提供给所述相关联的晶体管。

5.根据权利要求4所述的设备，所述至少一个晶体管归因于来自所述至少一个二极管的较高偏压电压而在高输入功率下具有较高增益。

6.根据权利要求1所述的设备，所述放大器进一步包含

至少一个电阻器，其耦合于所述堆叠中的所述至少一个晶体管与所述至少一个二极管之间。

7.根据权利要求6所述的设备，所述至少一个电阻器中的每一者为可变电阻器。

8.根据权利要求1所述的设备，所述放大器进一步包含

多个电阻器，其耦合成梯且为所述堆叠中的所述多个晶体管提供多个偏压电压，所述至少一个二极管耦合到所述梯中的至少一个电阻器。

9.根据权利要求8所述的设备，所述多个电阻器包含至少一个可变电阻器以在所述多个偏压电压中提供至少一个可调整偏压电压。

10.根据权利要求8所述的设备，所述放大器进一步包含

多个电容器，其耦合到所述梯中的所述多个电阻器，所述堆叠中的每一晶体管一个电容器，每一电容器提供从所述堆叠中的相关联的晶体管的栅极观察到的低阻抗。

11.根据权利要求1所述的设备，所述多个晶体管包含金属氧化物半导体MOS晶体管。

12.根据权利要求1所述的设备，所述多个晶体管包含N沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管。

13.根据权利要求12所述的设备，所述至少一个二极管包含各自耦合为二极管的至少一个NMOS晶体管。

14.根据权利要求1所述的设备，所述放大器包含耦合成所述堆叠的至少三个晶体管。

15.根据权利要求1所述的设备，所述放大器为功率放大器以接收输入射频RF信号且提供输出RF信号。

16.一种集成电路，其包含：

放大器，其包含

多个金属氧化物半导体MOS晶体管，其耦合成堆叠且接收并放大输入信号且提供输出信号，以及

至少一个二极管式连接的MOS晶体管，其操作性地耦合到所述堆叠中的至少一个MOS晶体管，每一二极管式连接的MOS晶体管将可变偏压电压提供给所述堆叠中一相关联的MOS晶体管。

17.根据权利要求16所述的集成电路，所述至少一个二极管式连接的MOS晶体管包含操作性地耦合到所述堆叠中的单个MOS晶体管的单个二极管式连接的MOS晶体管，所述单个MOS晶体管接收所述输入信号且为所述输入信号提供信号增益。

18.根据权利要求16所述的集成电路，所述至少一个二极管式连接的MOS晶体管包含用于所述堆叠中的每一MOS晶体管的一个二极管式连接的MOS晶体管，每一二极管式连接的MOS晶体管操作性地耦合到所述堆叠中一相关联的MOS晶体管。

19.根据权利要求16所述的集成电路，所述放大器进一步包含

至少一个电阻器，其耦合于所述至少一个二极管式连接的MOS晶体管与所述堆叠中的所述至少一个MOS晶体管之间。