[发明专利]In-Ga-Zn-O系氧化物烧结体

权利要求书

1.一种氧化物烧结体，其含有In(铟元素)、Ga(镓元素)以及Zn(锌元素)，

相对于除了氧元素之外的总元素的In、Ga以及Zn的总计含有率为95原子％以上，

包含显示In₂O₃所示的方铁锰矿结构的化合物，和显示ZnGa₂O₄所示的尖晶石结构的化合物。

2.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，

相对于所述In、Ga以及Zn的总计的Ga的原子比满足下述式(1)，

相对于所述In、Ga以及Zn的总计的Zn的原子比满足下述式(2)，

0.20＜Ga/(In+Ga+Zn)＜0.49(1)

0.10＜Zn/(In+Ga+Zn)＜0.30(2)。

3.根据权利要求1或2所述的氧化物烧结体，其特征在于，

所述显示In₂O₃所示的方铁锰矿结构的化合物，以及所述显示ZnGa₂O₄所示的尖晶石结构的化合物的任意一方为第一成分(主成分)，另一方为第二成分(副成分)。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于，

所述显示In₂O₃所示的方铁锰矿结构的化合物的X线衍射(XRD)中的最大峰强度(I(In₂O₃))，与所述显示ZnGa₂O₄所示的尖晶石结构的化合物的最大峰强度(I(ZnGa₂O₄))的比(I(ZnGa₂O₄)/I(In₂O₃))为0.80以上1.25以下。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于，

相对密度为90％以上，以四探针法测定的电阻率为50mΩcm以下，以及表面的黑点数为0.1个/cm²以下。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于，

所含有的金属元素实质上为In、Ga以及Zn。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于，

进一步含有正四价元素X，

相对于In、Ga、Zn以及X的总计的X的原子比满足下述式(3)，

0.0001＜X/(In+Ga+Zn+X)＜0.05(3)。

8.根据权利要求7所述的氧化物烧结体，其特征在于，

所述X为选自Sn、Ge、Zr、Hf、Ti、Si、Mo以及W中的至少1种。

9.根据权利要求7或8所述的氧化物烧结体，其特征在于，

所含有的金属元素实质上为In、Ga、Zn以及正四价元素X。

10.一种溅射靶材，其由权利要求1-9中任一项所述的氧化物烧结体形成。

11.一种权利要求1-9中任一项所述的氧化物烧结体的制造方法，其包含，

将由含有氧化铟粉末、氧化镓粉末以及氧化锌粉末的原料形成的成形体，在1160～1380℃下烧结1～80小时的工序。

12.根据权利要求11所述的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，

烧结工序的氧加压为1～3气压。

13.一种半导体元件的制作方法，其包括，

使用权利要求10所述的溅射靶材，形成无定形氧化物膜的工序。