[发明专利]双单晶背板麦克风系统及其制造方法

权利要求书

1.一种双背板麦克风，包括：

第一背板层，所述第一背板层包括第一导电单晶背板；

第二背板层，所述第二背板层包括第二导电单晶背板；以及

导电的膜片，所述膜片可移动地被夹在所述第一背板和第二背板之间并且与所述第一背板和第二背板电隔离，其中，所述背板和膜片形成堆叠体，使得所述膜片与所述第一背板形成第一可变电容器，并且所述膜片与所述第二背板形成第二可变电容器。

2.根据权利要求1所述的双背板麦克风，其中，所述麦克风进一步包括在所述第一背板层和所述膜片之间的第一绝缘层以及在所述第二背板层和所述膜片之间的第二绝缘层。

3.根据权利要求1所述的双背板麦克风，所述第二背板层进一步包括：

第二背板触头，所述第二背板触头电耦合到所述第二背板；以及膜片触头，所述膜片触头电耦合到所述膜片。

4.根据权利要求3所述的双背板麦克风，所述第二背板层进一步包括电耦合到所述第一背板的第一背板触头。

5.根据权利要求1所述的双背板麦克风，所述第一背板层进一步包括第一侧和第二侧，所述第一侧面向所述膜片，并且所述第二侧包括背侧空腔。

6.根据权利要求1所述的双背板麦克风，所述第二背板层进一步包括第一侧和第二侧，所述第一侧面向所述膜片，并且所述第二侧包括背侧空腔。

7.根据权利要求1所述的双背板麦克风，其中，所述第一背板层和所述第二背板层中的至少一个包括SOI晶片。

8.根据权利要求1所述的双背板麦克风，进一步包括在所述第一背板层和所述晶片之间的绝缘层，并且其中所述膜片包括多晶硅。

9.根据权利要求8所述的双背板麦克风，其中，所述绝缘层包括氧化物。

10.根据权利要求1所述的双背板麦克风，进一步包括在所述第二背板层和所述膜片层之间的一个或多个间隔物。

11.根据权利要求10所述的双背板麦克风，其中，所述间隔物凸立在所述第二背板层。

12.根据权利要求10所述的双背板麦克风，其中，所述间隔物凸立在所述膜片层。

13.一种制造双背板麦克风的方法，所述方法包括：

提供第一晶片，所述第一晶片包括导电单晶背板和导电膜片；

提供第二导电单晶背板；以及

把所述第二背板粘合到所述第一单晶晶片，使得所述膜片被夹在所述第一背板和所述第二背板之间并且与所述第一背板和所述第二背板电隔离。

14.根据权利要求13所述的制造双背板麦克风的方法，其中，所述膜片与所述第一背板形成第一可变电容器，并且所述膜片与所述第二背板形成第二可变电容器。

15.根据权利要求13所述的制造双背板麦克风的方法，其中，把所述第二背板粘合到所述第一单晶晶片包括层转移处理。

16.根据权利要求13所述的制造双背板麦克风的方法，所述方法进一步包括：在粘合了所述晶片之后释放所述膜片。

17.根据权利要求13所述的制造双背板麦克风的方法，其中，所述第二单晶背板包括第二晶片，所述第二晶片包括背板层、粘结层和施主层，并且其中所述方法进一步包括：去除所述第一晶片的所述施主层和粘结层。

18.根据权利要求13所述的制造双背板麦克风的方法，其中，所述第二单晶背板和所述第一单晶晶片中的至少一个包括SOI层的器件层。

19.根据权利要求13所述的制造双背板麦克风的方法，其中，所述第一晶片进一步包括与所述第一背板相对的所述膜片的一侧上的牺牲材料。

20.根据权利要求13所述的制造双背板麦克风的方法，其中，所述第二背板进一步包括具有第一面的第二背板层，其中，所述第一面包括一个或多个间隔物。