[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其用于使被导入到处理容器中的处理气体等离子化来处理基板，其中，

该等离子体处理装置包括：

中央导入部，其用于向收纳在上述处理容器中的基板的中心部导入处理气体；

周边导入部，其用于向收纳在上述处理容器中的基板的周边部导入处理气体；

分流器，其用于以向上述中央导入部和上述周边导入部供给的处理气体的流量比可变的方式调节向上述中央导入部和上述周边导入部供给的处理气体的流量比；

控制部，其用于控制上述分流器，

上述控制部在等离子体处理过程中控制上述分流器，使得来自上述中央导入部的处理气体的导入量与来自上述周边导入部的处理气体的导入量之比发生变化。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

上述控制部在等离子体处理过程中控制上述分流器，从而将来自上述中央导入部的处理气体的导入量与来自上述周边导入部的处理气体的导入量之比交替地切换为第1导入量比和与上述第1导入量比不同的第2导入量比。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

上述中央导入部设置在上述处理容器的顶面；

上述周边导入部设置在上述处理容器的内侧面。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

上述处理气体包括HBr。

5.一种等离子体处理方法，其用于使被导入到处理容器中的处理气体等离子化来处理基板，其中，

被导入到收纳在上述处理容器中的基板的中心部的处理气体的导入量与被导入到收纳在上述处理容器中的基板的周边部的处理气体的导入量之比在等离子体处理过程中发生变化。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其中，

被导入到收纳在上述处理容器中的基板的中心部的处理气体的导入量与被导入到收纳在上述处理容器中的基板的周边部的处理气体的导入量之比交替地切换为第1导入量和与上述第1导入量比不同的第2导入量比。

7.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其中，

上述处理气体包括HBr。

8.一种等离子体蚀刻处理装置，其向处理容器中导入多种原料气体混合而成的处理气体，在处理容器内使处理气体等离子化来对基板进行蚀刻处理，其中，

该等离子体蚀刻处理装置包括：

多个原料气体供给部，其用于供给种类不同的原料气体；

控制部，其用于控制各原料气体供给部的原料气体的供给量。

9.根据权利要求8所述的等离子体蚀刻处理装置，其中，

该等离子体蚀刻处理装置包括：

中央导入部，其用于向收纳在上述处理容器中的基板的中心部导入处理气体；

周边导入部，其用于向收纳在上述处理容器中的基板的周边部导入处理气体；

分流器，其用于以向上述中央导入部和上述周边导入部供给的处理气体的流量比可变的方式调节向上述中央导入部和上述周边导入部供给的处理气体的流量比，

上述控制部在等离子体蚀刻处理过程中控制上述分流器，使得来自上述中央导入部的处理气体的导入量与来自上述周边导入部的处理气体的导入量之比发生变化。

10.根据权利要求8所述的等离子体蚀刻处理装置，其中，

上述多个原料气体供给部包括用于供给CF₄气体的CF₄气体供给部、及用于供给CHF₃气体的CHF₃气体供给部；

上述控制部控制上述CF₄气体供给部的CF₄气体的供给量和上述CHF₃气体供给部的CHF₃气体的供给量。

11.一种等离子体蚀刻处理方法，其向处理容器中导入多种原料气体混合而成的处理气体，在处理容器内使处理气体等离子化来对基板进行蚀刻处理，其中，

通过改变种类不同的原料气体的混合比来控制CD。