[发明专利]光谱纯度滤光片、光刻设备以及制造光谱纯度滤光片的方法

权利要求书

1.一种光谱纯度滤光片，配置成透射极紫外辐射，所述光谱纯度滤光片包括大体平面的滤光片部分，所述滤光片部分包括形成在网格材料的壁之间的孔阵列，所述孔从滤光片部分的前表面延伸至后表面、以透射入射在所述前表面上的极紫外辐射，同时抑制第二类型的辐射的透射，其中在所述滤光片部分的增大部分内的孔的形状和排列形成为使得将负的泊松比赋予所述增大部分。

2.如权利要求1所述的滤光片，其中，在所述增大部分内的泊松比小于零或甚至小于-0.5。

3.如权利要求1或2所述的滤光片，其中，除了所述增大部分以外，所述滤光片部分还包括至少一个非增大部分，所述至少一个非增大部分具有大于0.1的泊松比。

4.如权利要求3所述的滤光片，其中，所述至少一个非增大部分被增大部分或增大部分的阵列围绕。

5.如权利要求3或4所述的滤光片，其中，所述至少一个非增大部分包括规则的六边形形状的孔。

6.如前述权利要求中任一项所述的滤光片，其中，所述增大部分包括凹入的六边形形状的孔。

7.如前述权利要求中任一项所述的滤光片，其中，所述增大部分包括凹入的多边形形状的孔。

8.如前述权利要求中任一项所述的滤光片，其中，所述滤光片部分包括多个增大部分，并且其中不同的增大部分在非操作状态下观察时具有不同的几何结构。

9.如前述权利要求中任一项所述的滤光片，其中，多个增大部分介于多个非增大部分之间。

10.如前述权利要求中任一项所述的滤光片，其中，所述滤光片部分设置有周围的框架结构，所述增大部分在使用中补偿滤光片的操作部分和所述框架结构之间的不同热膨胀。

11.一种光刻设备，包括：

辐射源，配置成产生包括极紫外辐射的辐射；

照射系统，配置成将辐射调节成辐射束；

支撑结构，配置成支撑图案形成装置，所述图案形成装置配置成图案化所述辐射束；

投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到目标材料上；和

如前述权利要求中任一项所述的光谱纯度滤光片。

12.如权利要求11所述的设备，其中，所述辐射源包括燃料传送系统和激光辐射源，所述激光辐射源布置成将红外波长的辐射传送到包括由所述燃料传送系统传送的等离子体燃料材料的目标上、用于产生所述极紫外辐射，从而所述辐射源将极紫外和红外辐射的混合辐射朝向所述光谱纯度滤光片发射。

13.一种用于制造透射型光谱纯度滤光片的方法，所述光谱纯度滤光片配置成透射极紫外辐射，所述方法包括步骤：使用各向异性蚀刻工艺在载体材料的衬底中蚀刻多个孔以形成网格状滤光片部分，所述孔的直径远大于所述极紫外辐射的波长、同时小于将要被抑制的第二辐射的波长或与将要被抑制的第二辐射的波长相当，其中在所述滤光片部分的增大部分内的孔的形状和排列形成为使得至少在操作条件下将负的泊松比赋予所述增大部分。

14.如权利要求13所述的方法，其中，在所述增大部分内的所述孔中的每一个孔具有凹入的六边形的形式。

15.如权利要求13或14所述的方法，其中，载体材料的衬底包括具有蚀刻阻止层的半导体衬底，并且其中所述方法还包括步骤：

使用各向异性蚀刻工艺蚀刻通过半导体衬底，使得孔到达所述蚀刻阻止层；和

随后去除蚀刻阻止层。