[发明专利]氧化锆烧结体和氧化锆烧结体的烧结用混合体、烧结前成型体以及烧结前假烧体有效

专利信息
申请号: 201080037193.8 申请日: 2010-08-20
公开(公告)号: CN102482162A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 伊藤承央;山田芳久;稻田博;坂清子 申请(专利权)人: 株式会社则武
主分类号: C04B35/48 分类号: C04B35/48
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;陈海红
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 氧化锆 烧结 混合 成型 以及 前假烧体
【权利要求书】:

1.一种氧化锆烧结体,其特征在于,

具有部分稳定化氧化锆来作为基体相,

含有磷(P)、砷(As)、锑(Sb)和铋(Bi)之中的至少1种元素,

含有相对于1摩尔氧化锆(IV)为4×10-4摩尔~4×10-2摩尔的所述元素。

2.根据权利要求1所述的氧化锆烧结体,其特征在于,所述元素是磷。

3.根据权利要求2所述的氧化锆烧结体,其特征在于,磷元素的含有率为0.01质量%~1质量%。

4.根据权利要求1~3的任一项所述的氧化锆烧结体,其特征在于,还含有0.03质量%~3质量%的二氧化硅。

5.一种氧化锆烧结体,其特征在于,在将氧化锆烧结体在180℃、1MPa的条件下实施了24小时的低温劣化加速试验的情况下,

在所述低温劣化加速试验后的氧化锆烧结体的表面的X射线衍射图中,在来源于单斜晶的[11-1]峰产生的位置附近存在的峰的高度相对于在来源于正方晶的[111]峰产生的位置附近存在的峰的高度之比为1以下。

6.一种氧化锆烧结体,其特征在于,在将4mm×25mm×0.2mm的氧化锆烧结体的试片在180℃、1MPa的条件下实施了24小时的低温劣化加速试验的情况下,

除了所述试片的尺寸以外依据JIS R 1601标准测定的所述低温劣化加速试验后的所述试片的弯曲强度为50MPa以上。

7.根据权利要求5或6所述的氧化锆烧结体,其特征在于,具有在权利要求1~4的至少一项中记载的特征。

8.根据权利要求1~7的任一项所述的氧化锆烧结体,其特征在于,在1450℃~1650℃下被烧结了。

9.根据权利要求1~8的任一项所述的氧化锆烧结体,其特征在于,含有氧化钇,氧化钇的含有率为2摩尔%~5摩尔%。

10.根据权利要求1~9的任一项所述的氧化锆烧结体,其特征在于,作为牙科用补缀物使用。

11.根据权利要求1~10的任一项所述的氧化锆烧结体,其特征在于,

在烧成面的X射线衍射图中,在来源于立方晶的[200]峰产生的位置附近存在的峰的高度相对于在来源于正方晶的[200]峰产生的位置附近存在的峰的高度之比为0.4以上,

在距烧成面的深度为100μm以上的区域的X射线衍射图中,在来源于立方晶的[200]峰产生的位置附近存在的峰的高度相对于在来源于正方晶的[200]峰产生的位置附近存在的峰的高度之比为0.3以下。

12.根据权利要求1~11的任一项所述的氧化锆烧结体,其特征在于,

在磨削烧成面或露出面,使在X射线衍射图中在来源于立方晶的[200]峰产生的位置附近存在的峰的高度相对于在来源于正方晶的[200]峰产生的位置附近存在的峰的高度之比为0.3以下的面露出后进行了再烧成的情况下,

在再烧成面的X射线衍射图中,在来源于立方晶的[200]峰产生的位置附近存在的峰的高度相对于在来源于正方晶的[200]峰产生的位置附近存在的峰的高度之比为0.4以上。

13.根据权利要求12所述的氧化锆烧结体,其特征在于,在距所述再烧成面的深度为100μm以上的区域的X射线衍射图中,在来源于立方晶的[200]峰产生的位置附近存在的峰的高度相对于在来源于正方晶的[200]峰产生的位置附近存在的峰的高度之比为0.3以下。

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