[发明专利]氧化锆烧结体和氧化锆烧结体的烧结用混合体、烧结前成型体以及烧结前假烧体有效
申请号: | 201080037193.8 | 申请日: | 2010-08-20 |
公开(公告)号: | CN102482162A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 伊藤承央;山田芳久;稻田博;坂清子 | 申请(专利权)人: | 株式会社则武 |
主分类号: | C04B35/48 | 分类号: | C04B35/48 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化锆 烧结 混合 成型 以及 前假烧体 | ||
1.一种氧化锆烧结体,其特征在于,
具有部分稳定化氧化锆来作为基体相,
含有磷(P)、砷(As)、锑(Sb)和铋(Bi)之中的至少1种元素,
含有相对于1摩尔氧化锆(IV)为4×10-4摩尔~4×10-2摩尔的所述元素。
2.根据权利要求1所述的氧化锆烧结体,其特征在于,所述元素是磷。
3.根据权利要求2所述的氧化锆烧结体,其特征在于,磷元素的含有率为0.01质量%~1质量%。
4.根据权利要求1~3的任一项所述的氧化锆烧结体,其特征在于,还含有0.03质量%~3质量%的二氧化硅。
5.一种氧化锆烧结体,其特征在于,在将氧化锆烧结体在180℃、1MPa的条件下实施了24小时的低温劣化加速试验的情况下,
在所述低温劣化加速试验后的氧化锆烧结体的表面的X射线衍射图中,在来源于单斜晶的[11-1]峰产生的位置附近存在的峰的高度相对于在来源于正方晶的[111]峰产生的位置附近存在的峰的高度之比为1以下。
6.一种氧化锆烧结体,其特征在于,在将4mm×25mm×0.2mm的氧化锆烧结体的试片在180℃、1MPa的条件下实施了24小时的低温劣化加速试验的情况下,
除了所述试片的尺寸以外依据JIS R 1601标准测定的所述低温劣化加速试验后的所述试片的弯曲强度为50MPa以上。
7.根据权利要求5或6所述的氧化锆烧结体,其特征在于,具有在权利要求1~4的至少一项中记载的特征。
8.根据权利要求1~7的任一项所述的氧化锆烧结体,其特征在于,在1450℃~1650℃下被烧结了。
9.根据权利要求1~8的任一项所述的氧化锆烧结体,其特征在于,含有氧化钇,氧化钇的含有率为2摩尔%~5摩尔%。
10.根据权利要求1~9的任一项所述的氧化锆烧结体,其特征在于,作为牙科用补缀物使用。
11.根据权利要求1~10的任一项所述的氧化锆烧结体,其特征在于,
在烧成面的X射线衍射图中,在来源于立方晶的[200]峰产生的位置附近存在的峰的高度相对于在来源于正方晶的[200]峰产生的位置附近存在的峰的高度之比为0.4以上,
在距烧成面的深度为100μm以上的区域的X射线衍射图中,在来源于立方晶的[200]峰产生的位置附近存在的峰的高度相对于在来源于正方晶的[200]峰产生的位置附近存在的峰的高度之比为0.3以下。
12.根据权利要求1~11的任一项所述的氧化锆烧结体,其特征在于,
在磨削烧成面或露出面,使在X射线衍射图中在来源于立方晶的[200]峰产生的位置附近存在的峰的高度相对于在来源于正方晶的[200]峰产生的位置附近存在的峰的高度之比为0.3以下的面露出后进行了再烧成的情况下,
在再烧成面的X射线衍射图中,在来源于立方晶的[200]峰产生的位置附近存在的峰的高度相对于在来源于正方晶的[200]峰产生的位置附近存在的峰的高度之比为0.4以上。
13.根据权利要求12所述的氧化锆烧结体,其特征在于,在距所述再烧成面的深度为100μm以上的区域的X射线衍射图中,在来源于立方晶的[200]峰产生的位置附近存在的峰的高度相对于在来源于正方晶的[200]峰产生的位置附近存在的峰的高度之比为0.3以下。
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