[发明专利]通过具有错配位错的部分或完全驰豫氮化铝铟镓层的半极性氮化物量子阱中的各向异性应变控制

说明书

相关申请案交叉参考

本申请案在35U.S.C.第119(e)部分下主张以下共同待决并且共同让与的美国临时专利申请案的权益：

2009年8月21日提出申请的太田博明(Hiroaki Ohta)、吴峰(Feng Wu)、阿努拉格·泰亚吉(Anurag Tyagi)、阿尔班·查克拉波尔迪(Arpan Chakraborty)、詹姆士，S.斯班克(James S.Speck)、史蒂文，P.德巴拉斯(Steven P.DenBaars)及中村修二(ShujiNakamura)的标题为“通过具有错配位错的部分或完全驰豫氮化铝铟镓层的半极性氮化物量子阱中的各向异性应变控制(ANISOTROPIC STRAIN CONTROL IN SEMIPOLARNITRIDE QUANTUM WELLS BY PARTIALLY OR FULLY RELAXED ALUMINUMINDIUM GALLIUM NITRIDE LAYERS WITH MISFIT DISLOCATIONS)”、代理人档案号为30794.318-US-P1(2009-743-1)的第61/236,059号美国临时专利申请案；及

2009年8月21日提出申请的太田博明(Hiroaki Ohta)、吴峰(Feng Wu)、阿努拉格·泰亚吉(Anurag Tyagi)、阿尔班·查克拉波尔迪(Arpan Chakraborty)、詹姆士，S.斯班克(James S.Speck)、史蒂文，P.德巴拉斯(Steven P.DenBaars)及中村修二(ShujiNakamura)的标题为“在异质界面处具有错配位错的部分或完全驰豫合金上的基于半极性氮化物的装置(SEMIPOLAR NITRIDE-BASED DEVICES ON PARTIALLY ORFULLY RELAXED ALLOYS WITH MISFIT DISLOCATIONS AT THEHETEROINTERFACE)”、代理人档案号为30794.317-US-P1(2009-742-1)的第61/236,058号美国临时申请案；

所述申请案以引用方式并入本文中。

本申请案涉及以下共同待决并且共同让与的美国专利申请案：

与本申请案在同一天提出申请的太田博明(Hiroaki Ohta)、吴峰(Feng Wu)、阿努拉格·泰亚吉(Anurag Tyagi)、阿尔班·查克拉波尔迪(Arpan Chakraborty)、詹姆士，S.斯班克(James S.Speck)、史蒂文，P.德巴拉斯(Steven P.DenBaars)及中村修二(ShujiNakamura)的标题为“在异质界面处具有错配位错的部分或完全驰豫合金上的基于半极性氮化物的装置(SEMIPOLAR NITRIDE-BASED DEVICES ON PARTIALLY ORFULLY RELAXED ALLOYS WITH MISFIT DISLOCATIONS AT THEHETEROINTERFACE)”、代理人档案号为30794.317-US-U1(2009-742-2)的第xx/xxx,xxx号美国实用新型申请案，所述申请案在35U.S.C.第119(e)部分下主张以下美国临时申请案的权益：2009年8月21日提出申请的太田博明(Hiroaki Ohta)、吴峰(Feng Wu)、阿努拉格·泰亚吉(Anurag Tyagi)、阿尔班·查克拉波尔迪(Arpan Chakraborty)、詹姆士，S.斯班克(James S.Speck)、史蒂文，P.德巴拉斯(Steven P.DenBaars)及中村修二(Shuji Nakamura)的标题为“在异质界面处具有错配位错的部分或完全驰豫合金上的基于半极性氮化物的装置(SEMIPOLAR NITRIDE-BASED DEVICES ON PARTIALLYOR FULLY RELAXED ALLOYS WITH MISFIT DISLOCATIONS AT THEHETEROINTERFACE)”、代理人档案号为30794.317-US-P1(2009-742-1)的第61/236,058号美国临时申请案；

所述申请案以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及生长于调制作用层中的应变由此调制作用层的能带结构及所发射光的偏振的模板上的光学装置，例如发光二极管(LED)及激光二极管(LD)。

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