[发明专利]制备含氧化铟的层的方法有效
申请号: | 201080037332.7 | 申请日: | 2010-08-13 |
公开(公告)号: | CN102549195A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | J·施泰格;D·V·潘;H·蒂姆;A·默库洛夫;A·霍佩 | 申请(专利权)人: | 赢创德固赛有限公司 |
主分类号: | C23C18/12 | 分类号: | C23C18/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 石克虎;林森 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 氧化 方法 | ||
1.由不含水溶液制备含氧化铟的层的液相方法,
其特征在于,
将无水组合物施加到基材上,任选地干燥,并且将其转变为含氧化铟的层,所述组合物含有
i)至少一种通式MxOy(OR)z[O(R′O)cH]aXb[R″OH]d的氧联铟醇盐
式中x=3-25,
y=1-10,
z=3-50,
a=0-25,
b=0-20,
c=0-1,
d=0-25
M=In
R,R′,R″=有机残基,
X=氟、氯、溴、碘,以及
ii)至少一种溶剂。
2.根据权利要求1所述的方法,
其特征在于,使用式MxOy(OR)z的氧联醇盐作为至少一种氧联铟醇盐,式中x=3-20,y=1-8,z=1-25,OR=C1-C15烷氧基、氧基烷基烷氧基、芳氧基或者氧基芳基烷氧基基团;
特别优选使用通式MxOy(OR)z的氧联醇盐,式中x=3-15,y=1-5,z=10-20,OR=-OCH3、-OCH2CH3、-OCH2CH2OCH3、-OCH(CH3)2或者-O(CH3)3。
3.根据权利要求2所述的方法,
其特征在于,
所述至少一种氧联铟醇盐是[In5(μ5-O)(μ3-OiPr)4(μ2-OiPr)4(OiPr)5]。
4.根据上述权利要求中任一项所述的方法,
其特征在于,
所述至少一种氧联铟醇盐是所述方法中唯一使用的金属氧化物前体。
5.根据上述权利要求中任一项所述的方法,
其特征在于,
所述至少一种氧联铟醇盐以基于所述无水组合物总质量0.1~15重量%的份额存在。
6.根据上述权利要求中任一项所述的方法,
其特征在于,
所述至少一种溶剂是非质子或者弱质子溶剂。
7.根据权利要求6所述的方法,
其特征在于,
所述至少一种溶剂选自甲醇、乙醇、异丙醇、四氢糠醇、叔丁醇和甲苯。
8.根据上述权利要求中任一项所述的方法,
其特征在于,
所述组合物具有1mPa·s~10Pa·s的粘度。
9.根据上述权利要求中任一项所述的方法,
其特征在于,
所述基材由玻璃、硅、二氧化硅、金属氧化物或过渡金属氧化物、金属或者聚合物材料构成。
10.根据上述权利要求中任一项所述的方法,
其特征在于,
通过印刷法、喷涂法、旋涂法、浸涂法或者选自弯月面涂布、狭缝涂布、狭缝模头涂布和帘式涂布的方法将所述无水组合物施加到所述基材上。
11.根据上述权利要求中任一项所述的方法,
其特征在于,
通过大于150℃的温度进行所述热转变。
12.根据权利要求11所述的方法,
其特征在于,
在热处理之前、热处理过程中或者之后使用紫外、红外或者可见光辐射进行辐照。
13.能根据权利要求1~12中任一项所述方法制备的含氧化铟的层。
14.至少一个权利要求13所述的含氧化铟的层用于生产电子元件,尤其用于生产晶体管、二极管、传感器或者太阳能电池的应用。
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