[发明专利]制备含金属氧化物层的方法有效

专利信息
申请号: 201080037333.1 申请日: 2010-08-13
公开(公告)号: CN102575350A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: J·施泰格;D·V·范;H·蒂姆;A·默库洛夫;A·霍佩 申请(专利权)人: 赢创德固赛有限公司
主分类号: C23C18/12 分类号: C23C18/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 周铁;林森
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 制备 金属 氧化物 方法
【权利要求书】:

1.由非水溶液制备含金属氧化物层的液相方法,其特征在于,将无水组合物涂覆到基材上,所述组合物含有

i)至少一种氧代烷氧基金属化合物,通式为

MxOy(OR)z[O(R′O)cH]aXb[R″OH]d

式中x=3-25,

y=1-10,

z=3-50,

a=0-25,

b=0-20,

c=0-1,

d=0-25,

M=铟、镓、锡和/或者锌,

R,R′,R″=有机残基,

X=氟、氯、溴、碘,和

ii)至少一种溶剂,

任选地进行干燥,并且将其转变为含金属氧化物的层。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,使用通式为MxOy(OR)z的氧代烷氧基金属化合物作为至少一种氧代烷氧基金属化合物,式中x=3-20,y=1-8,z=1-25,OR=C1-C15-烷氧基、-氧代烷基烷氧基、-芳氧基或者-氧代芳基烷氧基基团;特别适宜使用通式为MxOy(OR)z的氧代烷氧基金属化合物,式中x=3-15,y=1-5,z=10-20,OR=-OCH3、-OCH2CH3、-OCH2CH2OCH3、-OCH(CH3)2或者-O(CH3)3

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,至少一种氧代烷氧基金属化合物是[In55-O)(μ3-OiPr)42-OiPr)4(OiPr)5]、[Sn3O(OiBu)10(iBuOH)2]和/或[Sn6O4(OR)4]。

4.根据上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,至少一种氧代烷氧基金属化合物是本发明所述方法中唯一使用的金属氧化物前体。

5.根据上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,至少一种氧代烷氧基金属化合物相对于无水组合物总质量计的重量百分比含量为0.1~15%。

6.根据上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,至少一种溶剂是非质子或者弱质子溶剂。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,至少一种溶剂选自甲醇、乙醇、异丙醇、四氢糠醇、叔丁醇和甲苯。

8.根据上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,组合物的粘度为1mPa·s~10Pa·s。

9.根据上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,基材由玻璃、硅、二氧化硅、金属氧化物或过渡金属氧化物、金属或者高分子材料构成。

10.根据上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,采用印刷法、喷涂法、旋涂法、浸涂法或者选自弯月面涂覆、狭缝式涂覆、狭缝挤压式涂覆和帘式涂覆的方法将无水组合物涂覆到基材上。

11.根据上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,通过高于150℃的温度进行加热转变。

12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,在热处理之前、热处理过程中或者之后使用紫外、红外或者可见光辐射进行照射。

13.可以根据权利要求1~12中任一项所述方法制备的含金属氧化物的层。

14.权利要求13所述的至少一种含金属氧化物的层用于生产电子器件,尤其用于生产晶体管、二极管、传感器或者太阳能电池的用途。

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