[发明专利]硅通孔威尔金森功率分配器的方法、结构及设计结构

权利要求书

1.一种形成功率分配器的方法，包括：

在衬底的第一侧形成输入部；

形成第一支路，所述第一支路包含在所述衬底中形成的第一硅通孔，其中所述第一支路电连接所述输入部和第一输出部；

形成第二支路，所述第二支路包含在所述衬底中形成的第二硅通孔，其中所述第二支路电连接所述输入部和第二输出部；以及

形成电阻器，所述电阻器电连接在所述第一输出部与所述第二输出部之间。

2.根据权利要求1的方法，其中：

所述第一硅通孔和所述第二硅通孔基本上垂直地延伸穿过所述衬底；且

所述形成第一支路、所述形成第二支路和所述形成电阻器包括规定所述第一支路、所述第二支路和所述电阻器的尺寸，以在所述输入部、所述第一输出部和所述第二输出部处提供预定的特性阻抗。

3.根据权利要求1的方法，其中形成所述输入部包括在所述衬底的所述第一侧上的第一介电材料层中形成所述输入部。

4.根据权利要求3的方法，还包括在与所述衬底的所述第一侧相反的所述衬底的第二侧上的另一介电材料层中形成所述第一输出部和所述第二输出部。

5.根据权利要求3的方法，还包括在所述衬底的所述第一侧与所述输入部之间形成第一接地平面。

6.根据权利要求5的方法，还包括在所述衬底的第二侧与所述第一和第二输出部之间形成第二接地平面。

7.根据权利要求3的方法，还包括在所述第一硅通孔与所述第二硅通孔之间的所述衬底中形成至少一个接地硅通孔。

8.根据权利要求7的方法，还包括在所述第一硅通孔和所述第二硅通孔中的至少一个与所述至少一个接地硅通孔之间的所述衬底中形成至少一个填充有绝缘体的硅通孔。

9.根据权利要求1的方法，还包括选择性调整所述衬底的厚度，以获得预定的中心操作频率。

10.根据权利要求9的方法，其中所述选择性调整所述衬底的厚度包括对所述衬底进行研磨、铣削和减薄中的一者。

11.根据权利要求1的方法，其中所述输入部、所述第一支路、所述第二支路、所述电阻器、所述第一输出部和所述第二输出部共同构成威尔金森功率分配器。

12.一种半导体结构，包括：

输入部，其在衬底上的第一层中；

第一输出部和第二输出部，其在所述衬底上的第二层中；

第一支路，其包含延伸穿过所述衬底的第一硅通孔，且电连接在所述输入部与所述第一输出部之间；

第二支路，其包含延伸穿过所述衬底的第二硅通孔，且电连接在所述输入部与所述第二输出部之间；以及

电阻器，其电连接在所述第一输出部与所述第二输出部之间。

13.根据权利要求12的结构，其中：

所述第一层在所述衬底的第一侧上；以及

所述第二层在所述衬底的与所述第一侧不同的第二侧上。

14.根据权利要求13的结构，还包括至少一个接地硅通孔，所述至少一个接地硅通孔延伸穿过在所述第一硅通孔与所述第二硅通孔之间的所述衬底。

15.根据权利要求14的结构，还包括至少一个填充有绝缘体的硅通孔，所述至少一个填充有绝缘体的硅通孔位于所述第一硅通孔和所述第二硅通孔中的至少一个与所述至少一个接地硅通孔之间的所述衬底中。

16.根据权利要求12的结构，其中所述输入部、所述第一支路、所述第二支路、所述电阻器、所述第一输出部和所述第二输出部共同构成威尔金森功率分配器。