[发明专利]半色调掩膜的制造方法

权利要求书

1.一种半色调掩膜的制造方法，包括：

在衬底上形成半透过材料；以及

形成半透过区，所述半透过区用通过等离子体表面处理所述半透过材料和调节所述半透过材料的透射率而形成的具有与所述半透过材料的光透射率不同的透射率的至少一种半透过材料形成。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半透过材料包括Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al、Zr、Sn、Zn、In、Mg、Hf、V、Nd、Ge、MgO-Al₂O₃或Si₃N₄中的一种作为主要元素，或者是混合有至少两种或更多种上述元素的复合材料，或者包括在单个上述主要元素或所述复合材料中添加Co_x、O_x、N_x、C_x、F_x和B_x中的至少一种的复合材料，其中，下标x是自然数并且限定每种化学元素的个数。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述半透过材料进行等离子体表面处理，以在1％至10％的范围内细调所述光透射率。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述半透过材料进行等离子体表面处理，以在10％至90％的范围内细调所述光透射率。

5.一种半色调掩膜的制造方法，包括：

在衬底上层叠阻挡层和光刻胶，对该光刻胶进行曝光和显影，从而露出所述阻挡层中的必要区域并去除露出的阻挡层；

在形成有所述阻挡层的衬底上层叠第一半透过材料和光刻胶，对该光刻胶进行曝光和显影，从而露出所述第一半透过材料中的必要区域并去除露出的第一半透过材料；

在形成有所述第一半透过材料的衬底上层叠光刻胶，对该光刻胶进行曝光和显影，从而露出所述第一半透过材料中的必要区域，并且对露出的第一半透过材料进行等离子体表面处理，以形成第二半透过材料；

在形成有所述第二半透过材料的衬底上层叠光刻胶，对该光刻胶进行曝光和显影，从而露出所述第一半透过材料中的必要区域，并且对露出的第一半透过材料进行等离子体表面处理，以形成第三半透过材料；以及

去除剩余的光刻胶。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，对所述半透过材料进行等离子体表面处理，以在1％至10％的范围内细调所述光透射率。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，对所述半透过材料进行等离子体表面处理，以在10％至90％的范围内细调所述光透射率。