[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201080037940.8 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102484131A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 松田成修 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 丁文蕴;郑永梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，
具备元件区域和外周区域，
上述元件区域具有：
具有第一导电型的第一半导体层；
在上述第一半导体层的表面形成为岛状，并且具有与上述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体层；
在上述第二半导体层的表面形成为岛状，并且具有上述第一导电型的第三半导体层；以及
贯通上述第二半导体层和上述第三半导体层并到达上述第一半导体层的内部的多个栅极沟槽，
上述外周区域具有：
在上述元件区域的周围，贯通上述第二半导体层及上述第三半导体层，并到达上述第一半导体层内的多个外周沟槽；以及
在上述第一半导体层的表面形成为岛状，并且具有上述第一导电型的终端层，
由上述第一半导体层、上述第二半导体层、上述第三半导体层以及上述终端层构成半导体基体，在上述第一半导体层的表面侧上述第一半导体层未露出于上述半导体基体的表面。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述终端层与上述第二半导体层邻接，上述第二半导体层的扩散层端与上述外周沟槽邻接。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述终端层与上述第二半导体层邻接，上述第二半导体层的扩散层端配设在比配设于最外周的上述外周沟槽更靠近上述元件区域侧。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述半导体装置还具备等电位环形电极，该等电位环形电极与上述终端层连接，并具有第一凸缘部，该第一凸缘部在配设于上述最外周的上述外周沟槽上与该外周沟槽重叠地配设。
5.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
上述半导体装置还具备等电位环形电极，该等电位环形电极与上述终端层连接，并具有第一凸缘部，该第一凸缘部在配设于上述最外周的上述外周沟槽上与该外周沟槽重叠地配设。
6.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
上述半导体装置还具备等电位环形电极，该等电位环形电极与上述终端层连接，并具有第一凸缘部，该第一凸缘部在配设于上述最外周的上述外周沟槽上与该外周沟槽重叠地配设。
7.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
上述半导体装置还具备第二凸缘部，该第二凸缘部与填充在配设于上述最外周的上述外周沟槽内部的导电层连接，并在该外周沟槽的周围在上述半导体基体上突出，并且与上述等电位环形电极的上述第一凸缘部重叠地配设。
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