[发明专利]使用三重植入通过裂开分离硅薄膜的方法有效
| 申请号： | 201080038008.7 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102484093A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 欧拉丽·陶森 | 申请（专利权）人： | 法国原子能源和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;王颖 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 三重 植入 通过 裂开 分离 薄膜 方法 | ||
1.一种通过裂开从施主衬底(10)用于分离薄膜(15)的工艺，包含：
通过自由表面在所述施主衬底内植入物质的步骤，以形成减弱层(13)，所述施主衬底在其至少位于所述自由表面下方的部分，超过至少等于所述薄膜的厚度的深度，即将被分离的所述薄膜由硅构成；
包含在至少450℃的温度下进行热处理的至少一个中间步骤；以及
沿着所述减弱层通过裂开的分离步骤，
其特征在于，所述植入物质步骤包含使用植入能量以及使用植入剂量以任一顺序植入硼、氦和氢，
植入能量如下：
相隔至多10nm，以实质相同的深度获得氦和硼浓度最大值；以及
以大于所述氦和硼浓度最大值至少20nm的深度，获得氢浓度最大值，
并且植入剂量如下：
硼植入剂量至少等于5×1013B/cm2；以及
氦剂量和氢剂量的总剂量至少等于1016原子/cm2，并至多等于4×1016原子/cm2。
2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，它进一步包含使所述自有表面与载体(12)紧密接触的键和步骤。
3.根据权利要求1或2所述的工艺，其特征在于，所述硼植入剂量至少等于氦剂量和氢剂量的总剂量的1％和至多等于氦剂量和氢剂量的总剂量的10％。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的工艺，其特征在于，所述氦剂量和所述氢剂量中每个至少等于1015原子/cm2。
5.根据权利要求4所述的工艺，其特征在于，所述氦剂量和所述氢剂量的比例在1/2和2之间。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的工艺，其特征在于，一方面，所述氦和硼浓度最大值之间的距离，另外一方面所述氦和硼浓度最大值和所述氢浓度最大值之间的距离，至多等于200nm。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的工艺，其特征在于，经由裂开热处理获得所述裂开，所述热处理在至少等于450℃的温度下至少部分地被执行。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的工艺，其特征在于，经由裂开热处理获得所述裂开，所述热处理在至少等于600℃的温度下至少部分地被执行。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的工艺，其特征在于，所述裂开经由机械能量的应用而被诱导。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的工艺，其特征在于，氦剂量和氢剂量的总剂量至多等于3×1016原子/cm2。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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