[发明专利]掺杂的透明导电氧化物

权利要求书

1.一种光伏基底，所述光伏基底包括：

基底；

阻挡层，与基底相邻；

透明导电氧化物层，与阻挡层相邻，其中，透明导电氧化物层能够掺杂有实现较低的电阻率的掺杂剂；以及

缓冲层，与透明导电氧化物层相邻。

2.如权利要求1所述的光伏基底，其中，透明导电氧化物层包括氧化镉。

3.如权利要求1所述的光伏基底，其中，透明导电氧化物层包括氧化铟。

4.如权利要求1所述的光伏基底，其中，透明导电氧化物层包括氧化镉铟。

5.如权利要求1所述的光伏基底，其中，掺杂剂包括钛。

6.如权利要求1所述的光伏基底，其中，掺杂剂包括镓。

7.如权利要求1所述的光伏基底，其中，掺杂剂包括锡。

8.如权利要求1所述的光伏基底，其中，掺杂剂包括钇。

9.如权利要求1所述的光伏基底，其中，掺杂剂包括钪。

10.如权利要求1所述的光伏基底，其中，掺杂剂包括铌。

11.如权利要求1所述的光伏基底，其中，掺杂剂包括钼。

12.如权利要求1所述的光伏基底，其中，缓冲层包括氧化锡。

13.如权利要求1所述的光伏基底，其中，缓冲层包括氧化锌。

14.如权利要求1所述的光伏基底，其中，缓冲层包括氧化锌锡。

15.如权利要求1所述的光伏基底，其中，透明导电氧化物层能够掺杂有控制带隙的掺杂剂。

16.如权利要求1所述的光伏基底，其中，所述基底包括玻璃。

17.如权利要求1所述的光伏基底，所述光伏基底还包括：

半导体双层，与透明导电氧化物层相邻，

其中，半导体双层包括半导体吸收层和半导体窗口层。

18.如权利要求1所述的光伏基底，其中，阻挡层包括氧化硅。

19.一种光伏装置，所述光伏装置包括：

基底；

阻挡层，与基底相邻；

透明导电氧化物层，与阻挡层相邻，其中，透明导电氧化物层能够掺杂有实现较低的电阻率的掺杂剂；

缓冲层，与透明导电氧化物层相邻；以及

半导体双层，与透明导电氧化物层相邻，

其中，半导体双层包括半导体吸收层和半导体窗口层。

20.如权利要求19所述的光伏装置，其中，透明导电氧化物层包括氧化镉。

21.如权利要求19所述的光伏装置，其中，透明导电氧化物层包括氧化铟。

22.如权利要求19所述的光伏装置，其中，透明导电氧化物层包括氧化镉铟。

23.如权利要求19所述的光伏装置，其中，掺杂剂包括钛。

24.如权利要求19所述的光伏装置，其中，掺杂剂包括镓。

25.如权利要求19所述的光伏装置，其中，掺杂剂包括锡。

26.如权利要求19所述的光伏装置，其中，掺杂剂包括钇。

27.如权利要求19所述的光伏装置，其中，掺杂剂包括钪。

28.如权利要求19所述的光伏装置，其中，掺杂剂包括铌。

29.如权利要求19所述的光伏装置，其中，掺杂剂包括钼。

30.如权利要求19所述的光伏装置，其中，缓冲层包括氧化锡。

31.如权利要求19所述的光伏装置，其中，缓冲层包括氧化锌。

32.如权利要求19所述的光伏装置，其中，缓冲层包括氧化锌锡。