[发明专利]磁场传感器有效

专利信息
申请号: 201080038236.4 申请日: 2010-08-03
公开(公告)号: CN102483443A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: G·拉梅尔;S·魏斯 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: G01R33/00 分类号: G01R33/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 曾立
地址: 德国斯*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 磁场 传感器
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种磁场传感器并且尤其涉及一种这样的传感器的校准。

背景技术

在现有技术中公开了各种微机械的磁场传感器,它们将电流与磁场之间的相互作用转换为力。这样,DE 198 27 056例如公开了一种微磁场传感器,其中,电容式地通过梳形电极来检测由洛伦兹力引起的传感器结构的运动。在此,充分利用洛伦兹力,其方式是,通过在(自由悬浮的)电导体中注入的电流和外部施加的磁场引起自由悬浮的结构的横向运动。

此外公开了以下微磁场传感器,其充分利用在存在外部磁场的情况下在电流流经的导体中出现的霍尔效应。在此,由于存在外部磁场而使导体中的电子转移,使得在导体的两侧之间形成电势差,所述电势差体现为霍尔测量效应。适于微结构技术的其他测量原理是磁通门传感器、AMR传感器或者GMR传感器。

然而,在这些以微结构技术制造的传感器中,由于公差或者也由于变化的环境条件——如温度、气压等等形成传感器偏移,所述传感器偏移需要传感器的调准或校准。在这样的校准范畴内,在传感器位置处例如施加预先确定的磁场并且由在施加和缺少磁场时不同的传感器输出值计算传感器偏移。为此,DE 198 27 056公开了构造为校准电流回路的励磁线圈,其设置在围绕传感器的衬底上。因此,励磁线圈集成在微传感器元件自身中。这种布置也称作“片上线圈(Coil on Chip)”。因为励磁线圈的几何布置以及导体横截面和电阻率是已知的,所以在预先给定的试验电流下在传感器位置处形成的磁场或者可以计算求得或者可以实验求得。相对于例如为测试设备的一部分的外部线圈布置的优点在于,不需要耗费的测试设备以保证传感器位置处的场的均匀性和时间稳定性。

发明内容

根据本发明的用于测量传感器位置处的磁场的磁场传感器具有:

-由电绝缘的材料制成的印刷电路板;

-尤其被构造为微系统的磁场传感器元件,其设置在所述印刷电路板上并且通过电接触部与设置在所述印刷电路板上的第一印制导线相连接;

-至少一个第二印制导线,其用于产生试验磁场,所述至少一个第二印制导线设置在所述印刷电路板上或者所述印刷电路板中并且在施加流过第二印制导线的校准电流时在传感器位置处产生预先确定的试验磁场。

在这种磁场传感器中设有用于产生试验磁场的印制导线,以调准印刷电路板上的磁场传感器。这能够省去试验设备中的励磁线圈。此外,相对于励磁线圈集成到微磁场传感器元件中的布置具有如下优点:不必设置用于集成的励磁线圈的芯片面积。因此,可以使集成开销和(因此)成本较低。此外,在借助根据本发明的布置施加校准电流时,热负荷更低。此外与片上线圈布置相比,可以实现更高的电流和(由此)更大的磁场。

第二印制导线可以例如环状地围绕磁场传感器元件。因此,在施加校准电流时,在传感器位置处产生基本上与磁场传感器元件的传感器表面垂直的试验磁场。

此外,也可以在印刷电路板(的相同侧面)上在磁场传感器元件的相对置的两侧上分别设置一个第二印制导线,其中,所述两个第二印制导线彼此平行地设置。这具有如下优点:在相应激励时,可以产生与传感器表面垂直的试验磁场和与传感器表面相切的试验磁场。

有利的是,两个平行的印制导线在沿着磁场传感器元件的、印制导线所在侧的棱边的方向上的延展分别比其在磁场传感器元件的与所述棱边垂直地设置的侧棱边的方向上的延展大至少五倍、优选至少十倍。因此,在传感器处产生相对较大的试验磁场。

也可以设有两对各两个平行的印制导线,以产生试验磁场,其中,两个印制导线对从上面看彼此成直角地、但彼此电绝缘地设置。借助这种布置,在相应激励时,可以在所有三个空间方向上产生试验磁场。在此,两对印制导线可以设置在印刷电路板的不同金属层上,以便使它们彼此电绝缘。

此外,提供了如以上描述的磁场传感器与试验设备的组合,其中,试验设备可与磁场传感器操作性地连接并且被构造用于在所述至少一个第二印制导线上施加预先确定的校准电流。所述布置的优点在于,试验设备不必配备励磁线圈以产生试验磁场并且因此可以被简化。

附图说明

图1示出根据本发明的第一实施例的磁场传感器的立体视图。

图2示出根据本发明的磁场传感器与试验设备的组合的框图。

图3示意性地示出根据第一实施例的校准电流以及由其在传感位置处引起的试验磁场。

图4示出根据本发明的第二实施例的磁场传感器的立体视图。

图5A是示意性示出根据第二实施例的第一变型方案的校准电流以及由其在传感器位置处引起的试验磁场的立体视图。

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