[发明专利]具有分隔屏蔽的同位素产生系统

权利要求书

1.一种同位素产生系统，包括：

回旋加速器，其包括围绕加速室的磁轭，所述回旋加速器配置成定向来自所述加速室的粒子束通过所述磁轭；以及

靶系统，其相邻所述磁轭定位，所述靶系统配置成保持靶材料，并包括在所述磁轭与所述靶区域之间延伸的辐射屏蔽，其中所述辐射屏蔽的大小和形状配置成衰减从所述靶材料朝向所述磁轭发射的中子；以及

束通道，其从所述加速室延伸到所述靶区域，所述束通道至少部分由所述磁轭以及所述靶系统的所述辐射屏蔽形成。

2.如权利要求1所述的同位素产生系统，其中，所述束通道具有长度和截面直径，所述束通道的所述长度和所述直径配置成充分降低从所述靶区域发射到所述磁轭中的中子。

3.如权利要求1所述的同位素产生系统，其中，所述辐射屏蔽的外表面与所述磁轭直接邻接。

4.如权利要求1所述的同位素产生系统，还包括包含所述回旋加速器和所述靶系统的共同壳体。

5.如权利要求4所述的同位素产生系统，其中，所述壳体提供到所述回旋加速器的所述加速室和所述靶系统的入口。

6.如权利要求1所述的同位素产生系统，其中，所述辐射屏蔽包括配置成衰减从所述靶材料发射的辐射的材料成分，并且所述磁轭包括配置成衰减从所述加速室发射的辐射的不同材料成分。

7.如权利要求1所述的同位素产生系统，其中，所述磁轭具有形成屏蔽接纳凹口的外表面，所述束通道通过所述磁轭从所述加速室延伸并且延伸到所述屏蔽接纳凹口中，其中所述辐射屏蔽的一部分的形状符合所述磁轭的所述屏蔽接纳凹口。

8.如权利要求7所述的同位素产生系统，其中，所述辐射屏蔽具有基本与所述凹口的形状一致的形状。

9.如权利要求1所述的同位素产生系统，其中，所述靶系统包括直接围绕所述靶区域的第一屏蔽结构，所述第一屏蔽结构包括配置成衰减从所述靶材料发射的伽马射线的第一材料成分。

10.如权利要求9所述的同位素产生系统，其中，所述靶系统还包括围绕所述第一屏蔽结构的第二屏蔽结构，所述第二屏蔽结构包括配置成衰减从所述靶材料发射的中子的不同的第二材料成分。

11.如权利要求10所述的同位素产生系统，其中，所述第二材料成分配置成衰减从所述靶材料发射并且通过中子捕获生成的伽马射线。

12.如权利要求1所述的同位素产生系统，其中，所述粒子束传播从所述加速室的内表面到所述靶材料的一段距离，所述距离从大约0.5米至大约1.5米。

13.如权利要求1所述的同位素产生系统，其中，所述磁轭具有位于所述加速室中的几何中心，其中所述回旋加速器的外边界在离所述几何中心小于大约1米的距离处具有小于大约4μSv/h的剂量率，并且所述靶系统的外边界在离所述靶材料小于大约1米的距离处具有小于4μSv/h的剂量率，其中所述靶材料经受大约20μA与30μA之间的束电流。

14.一种同位素产生系统，包括：

由平台支承的回旋加速器，所述回旋加速器包括围绕加速室的磁轭，所述回旋加速器配置成定向来自所述加速室的粒子束通过所述磁轭；以及

位于所述平台上并且与所述磁轭相邻的靶系统，所述靶系统配置成将靶材料保持在靶区域，所述粒子束入射到所述靶材料上；以及

束通道，其从所述加速室延伸到所述靶区域，所述束通道至少部分由所述磁轭和所述靶系统形成，所述束通道沿与所述平台相交的射束轴延伸。

15.如权利要求14所述的同位素产生系统，其中，所述靶系统包括配置成衰减从所述靶材料发射的伽马射线和中子中的至少一个的辐射屏蔽，所述辐射屏蔽在所述靶区域与所述磁轭之间延伸。

16.如权利要求15所述的同位素产生系统，其中，所述辐射屏蔽具有从所述靶区域测量的径向厚度，所述辐射屏蔽的外表面定义所述径向厚度的缩减部分，所述辐射屏蔽沿所述缩减部分的所述外表面、由所述平台来支承。

17.如权利要求15所述的同位素产生系统，其中，所述辐射屏蔽具有邻接所述磁轭的外表面。