[发明专利]光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物,以及使用该组合物的抗蚀剂膜和图案形成方法无效

专利信息
申请号: 201080038300.9 申请日: 2010-08-17
公开(公告)号: CN102549494A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 涉谷明规;山口修平;片冈祥平;白川三千纮;加藤贵之;丹吴直纮 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: G03F7/004 分类号: G03F7/004;C08F20/10;G03F7/039;H01L21/027
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 贺卫国
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光化 射线 敏感 辐射 树脂 组合 以及 使用 抗蚀剂膜 图案 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物,所述光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物包含:

(PA)化合物,该化合物具有质子受体官能团并且当用光化射线或辐射照射时进行分解以产生减小或失去质子受体性的化合物或由质子受体官能性变为酸性,

其中所述化合物(PA)在193nm的波长在乙腈溶剂中测得的摩尔消光系数ε为55,000以下。

2.根据权利要求1所述的光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物,所述光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物还包含:

(B1)树脂,所述树脂(B1)在碱显影剂中的溶解度能够在酸的作用下增加,

其中所述树脂(B1)含有具有由下式(V)表示的重复单元的树脂,并且

所述化合物(PA)是当用光化射线或辐射照射时能够分解以产生由下式(PA-1)表示的化合物的化合物:

Q-APA1-(X)n-R                  (PA-1)

其中Q表示-SO3H、-CO2H或-W1-NH-W2-Rf;

X、W1和W2各自独立地表示-SO2-或-CO-;

Rf表示可以被卤素原子取代的烷基,可以被卤素原子取代的环烷基,或可以被卤素原子取代的芳基;

APA1表示单键或二价连接基团;

n表示0或1;并且

R表示具有质子受体官能团的一价有机基团:

其中Rv1和Rv2各自独立地表示具有1至10的碳数的烷基;并且

nv表示1至6的整数。

3.根据权利要求2所述的光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物,其中所述化合物(PA)由下式(II)或(III)表示:

其中每个R15独立地表示烷基或环烷基,两个R15可以彼此结合以形成环;

X2表示-CR21=CR22-、-NR23-、-S-和-O-中的任意一个;

R21至R23各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基或芳基;

R24表示芳基;

R25和R26各自独立地表示氢原子、烷基或环烷基,R25和R26可以彼此结合以形成环;

R27和R28各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烯丙基或乙烯基,R27和R28可以彼此结合以形成环;

n1表示0至3的整数;

Q′表示-SO3-、-CO2-或-W1-N--W2-Rf;并且

X、W1、W2、Rf、APA1、R和n具有与式(PA-1)中的X、W1、W2、Rf、APA1、R和n相同的含义。

4.根据权利要求3所述的光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物,

其中式(II)或(III)中的Q′是-W1-N--W2-Rf,

其中W1和W2各自独立地表示-SO2-或-CO-;并且

Rf表示可以被卤素原子取代的烷基、可以被卤素原子取代的环烷基或者可以被卤素原子取代的芳基。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物,所述光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物还包含:

(C)当用光化射线或辐射照射时能够生成酸的化合物。

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