[发明专利]太阳电池及制造太阳电池的方法有效
申请号: | 201080038315.5 | 申请日: | 2010-08-24 |
公开(公告)号: | CN102484168A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 保罗·科尼利斯·巴顿;罗纳德·科尼利斯·杰勒德·纳波尔;阿诺·费迪南·斯塔森 | 申请(专利权)人: | 荷兰能源研究中心基金会 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;杨莘 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳电池 制造 方法 | ||
1.一种从第一导电类型的半导体基板(1)制造太阳电池的方法(100;100a;100b;100c),所述半导体基板具有正面(2)和背面(3),所述方法顺序地包括:
纹理化(102)所述正面以形成纹理化的正面(2a);
通过第一导电类型的掺杂物的扩散在所述纹理化的正面形成(103)第一导电类型的掺杂层(2c)并在所述背面中形成(103)所述第一导电类型的背面电场层(4);
通过适于保留所述纹理化的正面的纹理的蚀刻处理从所述纹理化的正面移除(105;104a)所述第一导电类型的掺杂层;
通过使第二导电类型的掺杂物扩散至所述纹理化的正面内,在所述纹理化的正面上形成(106)所述第二导电类型的层(6)。
2.根据权利要求1所述的方法,其中纹理化(102)所述正面以形成纹理化的正面的步骤包括纹理化所述背面以形成纹理化的背面(3a)。
3.根据权利要求2所述的方法,其中形成所述背面电场层(4)之前是对所述半导体基板的所述纹理化的背面(3a)进行抛光。
4.根据权利要求1或3所述的方法,包括在所述第一导电类型的掺杂物的扩散期间,由所述第一导电类型的前驱体在所述正面和所述背面上形成含有掺杂物的玻璃层(5),所述含有掺杂物的玻璃层用作所述半导体基板(1)的掺杂源。
5.根据权利要求4所述的方法,包括在从所述纹理化的正面移除(105)所述第一导电类型的掺杂层之前从所述正面和所述背面移除所述含有掺杂物的玻璃层(5)。
6.根据权利要求4所述的方法,包括在单侧蚀刻处理中从所述纹理化的正面移除所述第一导电类型的掺杂层的同时从所述正面移除(104a)所述含有掺杂物的玻璃层(5)。
7.根据权利要求6所述的方法,包括在单侧蚀刻处理中从所述正面移除(104a)所述含有掺杂物的玻璃层并且从所述纹理化的正面移除(104a)所述第一导电类型的掺杂层之后从所述背面移除(105)所述含有掺杂物的玻璃层。
8.根据权利要求4所述的方法,包括在从所述纹理化的正面移除(105)所述第一导电类型的掺杂层之前:
-从所述正面和所述背面移除(104b)所述含有掺杂物的玻璃层;
-在背面电场层(4)上形成(108a)保护层(5a)。
9.根据权利要求6所述的方法,包括:
-当在所述纹理化的正面上形成所述第一导电类型的掺杂层(2c)并在所述背面中形成具有所述第一导电类型的背面电场层(4)之后:
-在单侧蚀刻处理中从所述纹理化的正面移除所述第一导电类型的掺杂层的同时从所述正面移除(104a)所述含有掺杂物的玻璃层之前,在所述背面电场层上形成(108a)保护层。
10.根据权利要求9所述的方法,包括:
在单侧蚀刻处理中从所述纹理化的正面移除所述第一导电类型的掺杂层的同时从所述正面移除(104a)所述含有掺杂物的玻璃层之后,并且在所述纹理化的正面形成所述第二导电类型的层之前:
-从所述背面移除(109)所述保护层和所述含有掺杂物的玻璃层。
11.根据权利要求8或10所述的方法,其中所述保护层(5a)包括涂层,所述涂层含有选自氧化铝(Al2O3)、氮化硅(SiNx)、介电质以及抗蚀剂的至少一种材料。
12.根据权利要求1所述的方法,其中通过第一导电类型的掺杂物的扩散形成所述背面电场层的步骤包括:在高温下使所述背面暴露于所述第一导电类型的前驱体。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述第一导电类型的前驱体包含所述第一导电类型的掺杂物;所述前驱体选自气体前驱体、液体前驱体、糊状前驱体和等离子前驱体中的一种。
14.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一导电类型的掺杂物的扩散被优化以在所述纹理化的正面中形成具有0.7微米或更小厚度的所述第一导电类型的掺杂层(2c)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的