[发明专利]具有用于改进的磁通钉扎的预制纳米结构的超导制品

权利要求书

1.一种超导制品，其包括：

基材；

上覆所述基材的缓冲层；和

上覆所述缓冲层的高温超导(HTS)层，所述HTS层包含多个纳米棒，所述多个纳米棒各自延伸所述HTS层厚度的至少约50％。

2.权利要求1所述的超导制品，其中每个所述纳米棒延伸所述HTS层厚度的至少约60％。

3.权利要求2所述的超导制品，其中每个所述纳米棒延伸所述HTS层厚度的至少约70％。

4.权利要求3所述的超导制品，其中每个所述纳米棒延伸所述HTS层厚度的至少约80％。

5.权利要求4所述的超导制品，其中每个所述纳米棒延伸所述HTS层厚度的至少约85％。

6.权利要求5所述的超导制品，其中每个所述纳米棒延伸所述HTS层厚度的至少约90％。

7.权利要求6所述的超导制品，其中每个所述纳米棒延伸所述HTS层厚度的至少约95％。

8.权利要求7所述的超导制品，其中每个所述纳米棒延伸所述HTS层厚度的至少约99％。

9.权利要求1所述的超导制品，其中所述HTS层还包含HTS材料，所述多个纳米棒包含与所述HTS材料不同的材料。

10.权利要求1所述的超导制品，其中所述HTS层还包含HTS材料，所述多个纳米棒包含与所述HTS材料不同的材料。

11.权利要求10所述的超导制品，其中所述HTS材料包括ReBa₂Cu₃O_7-x，其中0≥x＞1并且Re是稀土元素或稀土元素的组合。

12.权利要求11所述的超导制品，其中所述HTS材料包括YBa₂Cu₃O_7-x。

13.权利要求1所述的超导制品，其中所述纳米棒包含金属、金属氧化物或它们的任意组合。

14.权利要求1所述的超导制品，其中所述多个纳米棒各自被固定到所述缓冲层。

15.权利要求1所述的超导制品，其中所述多个纳米棒主要垂直于缓冲表面排列。

16.权利要求1所述的超导制品，其中所述多个纳米棒相对于缓冲表面随机取向。

17.权利要求1所述的超导制品，其中所述多个纳米棒主要以不同于与缓冲表面垂直的角度排列。

18.权利要求1所述的超导制品，其中每个纳米棒的直径为约0.5nm至约100nm。

19.权利要求18所述的超导制品，其中所述直径不大于约50nm。

20.权利要求19所述的超导制品，其中所述直径不大于约10nm。

21.权利要求18所述的超导制品，其中相邻的一对纳米棒之间的间距为所述纳米棒直径的约二分之一至所述纳米棒直径的约100倍。

22.权利要求1所述的超导制品，其中相邻的一对纳米棒之间的间距为约5nm至约50nm。

23.权利要求1所述的超导制品，其中每个纳米棒的高度为约0.1微米至约10.0微米。

24.权利要求23所述的超导制品，其中所述高度为约1.0微米至约3.0微米。

25.权利要求1所述的超导制品，其中所述HTS层包含不多于约30体积％的纳米棒。

26.权利要求1所述的超导制品，其中所述多个纳米棒包含第一组纳米棒和第二组纳米棒。

27.权利要求26所述的超导制品，其中所述第一组纳米棒基本相互平行取向，并且所述第二组纳米棒基本相互平行取向。

28.权利要求26所述的超导制品，其中所述第一组纳米棒与所述第二组纳米棒取向为沿显著不同的方向。