[发明专利]传感装置无效
申请号: | 201080038526.9 | 申请日: | 2010-01-29 |
公开(公告)号: | CN102483384A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 乌丰松;郭辉培;李志勇;胡敏 | 申请(专利权)人: | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
主分类号: | G01N27/00 | 分类号: | G01N27/00 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋颖娉;罗正云 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感 装置 | ||
1.一种传感装置(10、10’),包括:
基板(14);
形成在所述基板(14)上的第一电极(EIC、EICS),所述第一电极(EIC、EICS)具有三维形状;以及
形成在所述基板上的第二电极(EO),使得所述第二电极(EO)与所述第一电极(EIC、EICS)电隔离并且围绕所述第一电极(EIC、EICS)的周界。
2.根据权利要求1所述的传感装置(10、10’),其中所述三维形状选自圆锥状、圆锥球状、圆柱状和具有朝向尖端成角度的至少三个面的多边形状。
3.根据权利要求1和2中任一项所述的传感装置(10、10’),其中所述第一电极(EIC、EICS)是形成在多层结构上的金属层(26),所述多层结构包括至少半导电的基底(24、28)和形成在所述至少半导电的基底(24、28)上的绝缘层(16、16’)。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的传感装置(10、10’),其中所述第二电极(EO)是包括至少半导电的基底(14)和形成在所述至少半导电的基底(14)的至少一部分上的金属层(26’)的多层结构。
5.根据权利要求3和4所述的传感装置(10、10’),其中所述基板(14)是半导体或导体,并且其中所述至少半导电的基底(14、24、28)与所述基板(14)整体形成。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的传感装置(10、10’),其中:所述第一电极(EIC)具有圆锥状,并且其中所述传感装置(10)被配置用于光学传感;或者其中所述第一电极(EICS)具有圆锥球状,并且其中所述传感装置(10’)被配置用于电传感。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的传感装置(10、10’),其中所述装置(10、10’)被配置为使得能够将偏压施加至所述基板(14)的单个部分。
8.一种传感装置(10、10’),包括:
基板(14),
形成在所述基板(14)上的第一电极(EIC、EICS)的阵列,所述第一电极(EIC、EICS)中的每一个具有三维几何形状;以及
形成在所述基板(14)上的第二电极(EO),使得所述第二电极(EO)与所述第一电极(EIC、EICS)中的每一个电隔离并且围绕所述第一电极(EIC、EICS)中的每一个的周界。
9.根据权利要求8所述的传感装置(10、10’),其中所述三维形状选自圆锥状、圆锥球状、圆柱状和具有朝向尖端成角度的至少四个面的多边形状。
10.根据权利要求8和9中任一项所述的传感装置(10、10’),其中所述第一电极(EIC、EICS)中的每一个是形成在多层结构上的金属层(26),所述多层结构包括第一电极半导体基底(24、28)和形成在所述第一电极半导体基底(24、28)上的绝缘层(16、16’);其中所述第二电极(EO)是包括第二电极半导体基底(14)和形成在所述第二电极半导体基底(14)的至少一部分上的金属层(26’)的多层结构;其中所述基板(14)是半导体;并且其中所述第一电极半导体基底(24、28)和所述第二电极半导体基底(14)与所述基板(14)整体形成。
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