[发明专利]太阳能电池设备及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池设备，包括：

衬底；

在所述衬底上的后电极层；

在所述后电极层上的光吸收层；以及

在所述光吸收层上的前电极层，

其中，所述后电极层设置有凹槽，并且

限定所述凹槽的所述后电极层的内表面相对于所述衬底的上表面倾斜。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述后电极层包括被所述凹槽分开的后电极，并且

所述后电极的上部宽度小于所述后电极的下部宽度。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，限定所述凹槽的所述内表面与所述衬底的上表面之间的角度在约91°到约120°的范围内。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，其中，所述凹槽的下部宽度在约50μm到约100μm的范围内。

5.一种太阳能电池设备，包括：

衬底；

在所述衬底上的后电极层；

在所述后电极层上的光吸收层；以及

在所述光吸收层上的前电极层，

其中，所述光吸收层设置有第一凹槽，并且

限定所述第一凹槽的所述光吸收层的内表面相对于所述衬底的上表面倾斜。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池设备，其中，所述前电极层设置有第二凹槽，并且

限定所述第二凹槽的所述前电极层的内表面相对于所述衬底的上表面倾斜。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池设备，其中，所述第二凹槽穿过所述前电极层和所述光吸收层。

8.根据权利要求6所述的太阳能电池设备，其中，所述后电极层设置有第三凹槽，并且

所述第三凹槽相对于所述衬底的上表面倾斜。

9.根据权利要求6所述的太阳能电池设备，其中，限定所述第二凹槽的所述内表面与所述衬底的上表面之间的角度在约91°到约120°的范围内。

10.根据权利要求5所述的太阳能电池设备，包括分别放置于各个所述第一凹槽中的各接触图案，

其中，所述接触图案的侧表面相对于所述衬底的上表面倾斜。

11.根据权利要求9所述的太阳能电池设备，其中，所述接触图案的侧表面直接接触限定所述第三凹槽的内表面。

12.根据权利要求5所述的太阳能电池设备，其中，限定所述第一凹槽的所述内表面与所述衬底的上表面之间的角度在约91°到约120°的范围内。

13.根据权利要求5所述的太阳能电池设备，包括在所述光吸收层和所述前电极层之间的缓冲层，

其中，所述第一凹槽穿过所述缓冲层和所述光吸收层。

14.根据权利要求13所述的太阳能电池设备，其中，在所述缓冲层的上表面和所述第一凹槽之间的接触部分是圆形的。

15.一种太阳能电池设备的制造方法，包括：

在衬底上形成后电极层；

在所述后电极层上形成光吸收层；以及

在所述光吸收层上形成前电极层，

其中，在形成所述后电极层、所述光吸收层或所述前电极层时，将掩膜放置于所述衬底上，然后沉积用于形成所述后电极层、所述光吸收层或所述前电极层的原料。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，利用不同的掩膜形成所述后电极层、所述光吸收层和所述前电极层。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述掩膜具有在至范围内的宽度。

18.根据权利要求15所述的方法，包括在所述光吸收层和所述前电极层之间形成缓冲层，

其中，形成所述光吸收层和形成所述缓冲层包括：

将所述掩膜放置在所述后电极层上；

利用第一掩膜作为沉积掩膜，以形成所述光吸收层；以及

利用第一掩膜作为沉积掩膜，以在所述光吸收层上形成所述缓冲层，

其中，所述光吸收层设置有第一凹槽，并且所述缓冲层设置有分别与各个所述第一凹槽相邻的各个第二凹槽。