[发明专利]用于把半导体晶片从载体衬底分离的装置和方法有效
申请号: | 201080038912.8 | 申请日: | 2010-08-20 |
公开(公告)号: | CN102612740A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | F.P.林德纳;J.布尔格拉夫 | 申请(专利权)人: | EV集团有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;卢江 |
地址: | 奥地利圣*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体 晶片 载体 衬底 分离 装置 方法 | ||
1. 一种用于借助安装在薄膜框架(1)上的柔性薄膜(3)把产品衬底(4)从通过连接层(6)与所述产品衬底(4)相连接的载体衬底(2)分离的装置,所述薄膜包含粘合层(3s)以在所述薄膜(3)的接触面片段(3k)中容纳所述产品衬底(4),其中所述薄膜(3)在所述薄膜框架(1)上安装在薄膜(3)的围绕所述接触面片段(3k)的固定片段(3b)中,并且其中所述薄膜(3)包含位于所述接触面片段(3k)与所述固定片段(3b)之间的分离片段(3a),其特征在于,
所述装置具有分离工具,用于引起所述产品衬底(4)从所述产品衬底(4)的外周(4u)开始从所述载体衬底(2)分离。
2. 根据权利要求1所述的装置,
其特征在于,
除了所述分离工具之外,还设置连接分离工具,以至少部分地去除在所述载体衬底(2)与所述产品衬底(4)之间由所述连接层(6)所引起的连接。
3. 根据权利要求1或2之一所述的装置,
其特征在于,
所述连接分离工具包含用于至少部分地去除所述连接层(6)的液体介质,尤其是有选择地溶解所述连接层的溶剂(22)。
4. 根据权利要求1或2之一所述的装置,
其特征在于,
所述连接分离工具包含用于至少部分地去除所述连接层(6)的机械分离工具,尤其是用于切割所述连接层(6)的刀片。
5. 根据权利要求1或2之一所述的装置,
其特征在于,
所述连接分离工具包含用于至少部分地去除所述连接层(6)的UV光源。
6. 根据前述权利要求之一所述的装置,
其特征在于,
所述连接分离工具构造为尤其是仅仅在所述外周(4u)的区域内发挥作用。
7. 根据前述权利要求之一所述的装置,
其特征在于,
所述分离片段(3a)位于所述产品衬底(4)的外轮廓之外,和/或与所述接触面片段(3k)邻接。
8. 根据权利要求2或3所述的装置,
其特征在于,
为了给所述连接层(6)施加液体介质并为了容纳所述液体介质,设置固定在所述载体衬底或载体衬底接收器(7)上的、尤其是密封的溶剂容器(20),该溶剂容器的上边缘至少延伸至由所述产品衬底(4)所形成的平面。
9. 根据前述权利要求之一所述的装置,
其特征在于,
通过作用于所述载体衬底(2)上的力Fs以及与所述力Fs方向相反的、作用于所述薄膜框架(1)上的力Ff而导致所述分离。
10. 根据权利要求9所述的装置,
其特征在于,
所述薄膜(3)能通过所述力Fs和力Ff而在所述分离片段(3a)中张紧。
11. 根据权利要求9或10所述的装置,
其特征在于,
通过所述力Fs和力Ff能引起所述薄膜框架(1)相对于所述载体衬底(2)移动,其中由此在所述薄膜框架(1)内产生槽(9),所述槽为了把声波传输到所述产品衬底和/或所述溶剂(22)而具有声波生成工具,其尤其是由能容纳在所述槽(9)中的液体(11)以及淹没在所述液体(11)中的声波发生器(10)形成。
12. 根据前述权利要求之一所述的装置,
其特征在于,
从所述产品衬底(4)的外周(4u)向所述产品衬底(4)的中心(4z)同心地进行所述产品衬底(4)的分离。
13. 根据前述权利要求之一所述的装置,
其特征在于,
所述产品衬底(4)构造为在所述分离过程期间粘合在所述薄膜(3)上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于EV集团有限责任公司,未经EV集团有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080038912.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造