[发明专利]CMP抛光垫及其制造方法有效
申请号: | 201080038956.0 | 申请日: | 2010-04-30 |
公开(公告)号: | CN102484058A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 金七敏 | 申请(专利权)人: | 西江大学校产学协力团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;王春伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cmp 抛光 及其 制造 方法 | ||
1.一种CMP抛光垫,所述CMP抛光垫在其至少一个表面上形成有多个孔,其中所述孔通过将吸光材料分散在CMP抛光垫的表面内或表面上并用激光束照射所述吸光材料而形成。
2.根据权利要求1所述的CMP抛光垫,其中所述孔具有由所述激光束的波长所确定的直径。
3.根据权利要求2所述的CMP抛光垫,其中所述孔的直径与所述激光束的波长成比例。
4.根据权利要求1所述的CMP抛光垫,其中所述激光束具有300-20000nm的中值波长。
5.根据权利要求1所述的CMP抛光垫,其中所述孔具有1-200μm的直径。
6.根据权利要求1所述的CMP抛光垫,其中所述吸光材料吸收在300-15000nm波长范围内的光。
7.根据权利要求1所述的CMP抛光垫,其中所述吸光材料为选自包括菁染料、二硫纶染料、二亚铵染料、醌染料、罗丹明染料、维多利亚染料、亚甲基染料、亮色染料、萘染料、repid-filter gelb、echtblau、pinaorthol染料、吡喃染料、硫堇染料、尼罗蓝染料、甲酚染料、嗪染料、试卤灵染料、刃天青染料、派洛宁染料、吖啶染料和奇通染料的组中的至少一种材料。
8.一种具有多个孔的CMP抛光垫,所述孔的形成方式为在抛光垫表面上形成吸光材料层并且利用激光束照射所述吸光材料层,使得所述激光束穿透所述吸光材料层并且所述孔形成至所述抛光垫的预定深度。
9.根据权利要求8所述的CMP抛光垫,其中所述吸光材料层通过将吸光材料铺展在抛光垫表面上或通过将其中分散有吸光材料的膜附着至抛光垫表面来形成。
10.一种制造CMP抛光垫的方法,包括:
确定待在CMP抛光垫上形成的孔的直径;
根据所述孔的直径确定待用激光的具体类型;
根据所述激光的类型确定吸光材料的具体类型;
将所述吸光材料分散在所述CMP抛光垫中;和
利用所述激光束照射具有分散在其中的所述吸光材料的所述CMP抛光垫以形成孔。
11.根据权利要求10所述的制造CMP抛光垫的方法,其中所述孔的直径与所述激光束的波长成比例。
12.根据权利要求10所述的制造CMP抛光垫的方法,其中所述吸光材料可为选自包括菁染料、二硫纶染料、二亚铵染料、醌染料、罗丹明染料、维多利亚染料、亚甲基染料、亮色染料、萘染料、repid-filtergelb、echtblau、pinaorthol染料、吡喃染料、硫堇染料、尼罗蓝染料、甲酚染料、嗪染料、试卤灵染料、刃天青染料、派洛宁染料、吖啶染料和奇通染料的组中的至少一种材料。
13.根据权利要求10所述的制造CMP抛光垫的方法,其中在所述CMP抛光垫上形成多个孔,并且所述孔的分布和深度通过改变所述抛光垫的位置来控制。
14.根据权利要求10所述的制造CMP抛光垫的方法,其中在所述CMP抛光垫上形成多个孔,并且所述孔的分布和深度通过改变所述激光的位置来控制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造