[发明专利]倾斜刻蚀应用中提高流体运送的装置和方法有效
申请号: | 201080039169.8 | 申请日: | 2010-08-26 |
公开(公告)号: | CN102484064A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 米格尔·A·萨达纳;格雷格·塞克斯顿 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/02 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 倾斜 刻蚀 应用 提高 流体 运送 装置 方法 | ||
1.一种供应用于处理半导体处理腔中的衬底的多个处理流体的装置,包括:
流体供料网,其被定义在交叉阀和调整供料阀以及多个处理流体供应阀之间;
调整流体供应源,其通过所述调整供料阀连接到所述流体供料网;
多个处理流体,其通过所述多个处理流体供应阀连接到所述流体供料网;以及
处理腔,其具有衬底支架,所述处理腔进一步具有边缘流体供料器和中部流体供料器,所述边缘流体供料器通过边缘使能阀连接到所述流体供料网而所述中部流体供料器通过中部使能阀连接到所述流体供料网;
其中所述交叉阀、边缘使能阀和中部使能阀使调整流体或处理流体中的一个流到所述边缘流体供料器或所述中部流体供料器中的一个。
2.根据权利要求1所述的装置,其进一步包括:
泵出泵,其通过各自的边缘泵阀和中部泵阀连接到所述边缘供料器和所述中部供料器,其中所述泵出泵排出所述流体供料网内的流体。
3.根据权利要求1所述的装置,其进一步包括:
净化泵,其通过各自的边缘净化阀和中部净化阀连接到所述流体供料网,其中所述净化泵排出所述流体供料网内的流体。
4.根据权利要求1所述装置,其中当关闭所述交叉阀时所述调整流体被引导到所述中部供料器而所述处理流体被引导到所述边缘流体供料器。
5.一种控制通往处理腔的流体流动的供料网,其包括:
调整流体供应源,其通过调整供应阀联接到输入供应网;
处理流体供应源,其通过处理供应阀联接到所述输入供应网;以及
交叉网,其具有交叉阀,所述交叉网联接在所述输入供应网与处理腔之间,该处理室具有边缘供料器和中部供料器,所述边缘供料器通过边缘供料阀联接到所述交叉网而中部供料器通过中部流体供料阀联接到所述交叉网;
其中所述交叉网定义所述调整流体或所述处理流体是否被供应到所述边缘供料器或所述中部供料器中的一个。
6.根据权利要求5所述的供料网,其中,当关闭所述交叉阀时,所述调整流体被引导到所述中部供料器而所述处理流体被引导到所述边缘流体供料器。
7.根据权利要求5所述的供料网,其中所述处理流体供应源被定义为提供多个处理流体。
8.根据权利要求5所述的供料网,其进一步包括被定义在所述输入供应网与所述交叉网之间的输入净化系统。
9.根据权利要求8所述的供料网,其中所述输入净化系统被定义为净化所述调整流体和所述处理流体中的一个或两个。
10.根据权利要求5所述的供料网,其进一步包括被定义在所述交叉网与所述处理腔之间的供料净化器。
11.根据权利要求10所述的供料网,其中所述供料净化器被定义为净化所述调整流体或所述处理流体中的一个或两个。
12.根据权利要求5所述的供料网,其中所述调整流体供料器包括设置在所述处理腔附近的过滤器。
13.根据权利要求5所述的供料网,其中所述处理流体供料器包括设置在所述处理腔附近的过滤器。
14.一种将调整流体和处理流体灵活施加到衬底的方法,其包括:
(a)使所述调整流体通过第一供料网流到中部供料器,所述第一供料网联接到包括关闭的交叉流动阀的交叉流动网;
(b)使所述处理流体通过第二供料网流到边缘供料器,所述第二供料网联接到所述交叉流动网,所述处理流体流到所述边缘供料器;
(c)停止所述调整流体和所述处理流体的流动;以及
(d)使所述调整流体或所述处理流体中的一个流动,其中打开的交叉流动阀使所述调整流体或所述处理流体中的所述一个流到所述中部供料器或所述边缘供料器中的一个。
15.根据权利要求14所述的方法,其进一步包括将所述第一供料网、所述第二供料网、所述交叉流动网、所述中部供料器和所述边缘供料器中的至少一个通过连接在所述交叉流动网与所述中部供料器以及边缘供料器之间的净化网净化的操作,所述净化在操作(c)与(d)之间执行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造