[发明专利]在无线功率接收中的解调谐有效

专利信息
申请号: 201080039222.4 申请日: 2010-09-02
公开(公告)号: CN102498633A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 保罗·梅内戈利;琳达·S·艾里什 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H02J5/00 分类号: H02J5/00;H04B5/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 无线 功率 接收 中的 解调
【权利要求书】:

1.一种方法,其包含:

在耦合模式区中在谐振频率下耦合近场辐射以响应于所述近场辐射而产生RF信号;

响应于控制信号而通过可变阻抗装置来解调谐所述RF信号以修改所述RF信号;

整流所述经修改RF信号以产生DC信号;以及

将所述DC信号与参考电压进行比较以响应于所述DC信号与所述参考电压之间的电压差而产生所述控制信号。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述解调谐所述RF信号进一步包含:响应于所述控制信号而在线性区中操作NMOS晶体管。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述解调谐所述RF信号进一步包含:将电抗分量提供到所述可变阻抗装置,其中一电容器可操作地耦合到所述可变阻抗装置。

4.根据权利要求1所述的方法,其进一步包含:通过选择数字遮蔽信号来选择数字解调谐以产生所述控制信号,或通过选择来自所述比较所述DC信号与所述参考电压的结果来选择线性解调谐以产生所述控制信号。

5.根据权利要求1所述的方法,其进一步包含:

产生其电压与通过所述可变阻抗装置的电流成比例的所调制信号;以及

从所述所调制信号整流接收信号。

6.一种无线功率接收器,其包含:

用于在耦合模式区中在谐振频率下耦合近场辐射以响应于所述近场辐射而产生RF信号的装置;

用于响应于控制信号而通过可变阻抗装置来解调谐所述RF信号以修改所述RF信号的装置;

用于整流所述经修改RF信号以产生DC信号的装置;以及

用于将所述DC信号与参考电压进行比较以响应于所述DC信号与所述参考电压之间的电压差而产生所述控制信号的装置。

7.根据权利要求6所述的无线功率接收器,其中所述用于解调谐所述RF信号的装置进一步包含用于响应于所述控制信号而在线性区中操作NMOS晶体管的装置。

8.根据权利要求6所述的无线功率接收器,其中所述用于解调谐所述RF信号的装置进一步包含用于将电抗分量耦合到所述可变阻抗装置的装置。

9.根据权利要求6所述的无线功率接收器,其进一步包含用于通过选择数字遮蔽信号来选择数字解调谐以产生所述控制信号或通过选择来自所述比较所述DC信号与所述参考电压的结果来选择线性解调谐以产生所述控制信号的装置。

10.根据权利要求6所述的无线功率接收器,其进一步包含:

用于产生其电压与通过所述可变阻抗装置的电流成比例的所调制信号的装置;以及

用于从所述所调制信号整流接收信号的装置。

11.一种无线功率接收器,其包含:

匹配电路,其用于可操作地耦合到接收天线,所述接收天线经配置以用于在耦合模式区中与近场辐射耦合,所述匹配电路和所述接收天线用于响应于所述近场辐射而产生RF信号;

解调谐电路,其可操作地耦合到所述匹配电路且包含可变阻抗装置,所述可变阻抗装置具有响应于控制信号的可变电阻以修改所述RF信号;

整流器,其可操作地耦合到所述经修改RF信号,且经配置以用于将所述经修改RF信号转换成DC信号;以及

模拟比较器,其包含:第一输入,其可操作地耦合到所述DC信号;第二输入,其可操作地耦合到参考电压;以及比较器输出,其可操作地耦合到所述控制信号且经配置以对应于所述第一输入与所述第二输入之间的电压差。

12.根据权利要求11所述的无线功率接收器,其中所述可变阻抗装置包含NMOS晶体管,所述NMOS晶体管具有可操作地耦合于接地与所述RF信号之间的源极与漏极,以及可操作地耦合到所述控制信号的栅极。

13.根据权利要求11所述的无线功率接收器,其中所述可变阻抗装置包含可操作地耦合于接地与所述RF信号之间的背对背NMOS晶体管,且所述栅极背对背NMOS晶体管的栅极可操作地耦合到所述控制信号。

14.根据权利要求11所述的无线功率接收器,其中所述解调谐电路进一步包含可操作地耦合于所述可变阻抗装置与所述RF信号之间的无源网络,所述无源网络经配置以用于将电抗分量提供到所述解调谐电路的阻抗。

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