[发明专利]碳化硅包覆碳基材的制造方法、碳化硅包覆碳基材、碳化硅碳复合烧结体、陶瓷包覆碳化硅碳复合烧结体以及碳化硅碳复合烧结体的制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅包覆碳基材的制造方法，其特征在于，包括：

准备在表面具有由没有悬空键的SP²碳结构构成的基部、和由具有悬空键的SP²碳结构构成的边缘部的碳基材的工序；

通过在温度1400～1600℃、压力1～150Pa的气氛中使所述碳基材的表面与SiO气体反应而形成碳化硅，制造由碳化硅所包覆的碳基材的工序。

2.如权利要求1所述的碳化硅包覆碳基材的制造方法，其特征在于：所述碳基材为石墨基材。

3.如权利要求1或2所述的碳化硅包覆碳基材的制造方法，其特征在于：所述碳基材为碳颗粒。

4.如权利要求3所述的碳化硅包覆碳基材的制造方法，其特征在于：所述碳颗粒的平均粒径在50nm～500μm的范围内。

5.如权利要求1～4中任一项所述的碳化硅包覆碳基材的制造方法，其特征在于：所述SiO气体从与所述碳基材一同配置的SiO源产生。

6.如权利要求5所述的碳化硅包覆碳基材的制造方法，其特征在于：通过将所述碳基材和所述SiO源配置在反应容器内，并将所述反应容器配置在烧制炉内，将所述反应容器内加热并进行排气。

7.一种碳化硅包覆碳基材，其特征在于：

其为通过使碳基材的表面与硅成分反应而形成碳化硅，由碳化硅层包覆表面的碳基材，该碳基材在表面具有由没有悬空键的SP²碳结构构成的基部、和由具有悬空键的SP²碳结构构成的边缘部，

所述碳化硅层的厚度为20μm以下。

8.如权利要求7所述的碳化硅包覆碳基材，其特征在于：

碳化硅层的厚度在1nm～20μm的范围内。

9.如权利要求7或8所述的碳化硅包覆碳基材，其特征在于：

所述碳基材为石墨基材。

10.如权利要求7～9中任一项所述的碳化硅包覆碳基材，其特征在于：所述碳基材为碳颗粒。

11.如权利要求10所述的碳化硅包覆碳基材，其特征在于：

所述碳颗粒的平均粒径在50nm～500μm的范围内。

12.如权利要求10或11所述的碳化硅包覆碳基材，其特征在于：

在空气中以650℃加热1小时所导致的重量减少小于5重量％。

13.一种碳化硅包覆碳基材，其特征在于：

其是通过权利要求1～6中任一项所述的方法制造的。

14.一种碳化硅碳复合烧结体，其特征在于：

其是通过将由碳化硅包覆的碳基材颗粒进行烧结而得到的，

所述碳化硅碳复合烧结体的相对密度为90～100％，Al、Be、B和Se的合计含量小于0.1重量％。

15.如权利要求14所述的碳化硅碳复合烧结体，其特征在于：

所述碳基材颗粒为石墨颗粒。

16.如权利要求14或15所述的碳化硅碳复合烧结体，其特征在于：

所述碳基材颗粒的平均粒径在50nm～500μm的范围内。

17.如权利要求14～16中任一项所述的碳化硅碳复合烧结体，其特征在于：所述碳化硅层的厚度在1nm～20μm的范围内。

18.一种碳化硅碳复合烧结体，其特征在于：

其是通过将权利要求10～13中任一项所述的碳化硅包覆碳基材进行烧结而得到的。

19.一种陶瓷包覆碳化硅碳复合烧结体，其特征在于：

在权利要求14～18中任一项所述的碳化硅碳复合烧结体的表面的至少一部分上形成陶瓷包覆层。

20.一种碳化硅碳复合烧结体的制造方法，用于制造权利要求14～18中任一项所述的碳化硅碳复合烧结体，该制造方法的特征在于：

在2200℃以下的温度进行烧结。

21.如权利要求20所述的碳化硅碳复合烧结体的制造方法，其特征在于：不使用烧结助剂进行烧结。