[发明专利]铝多孔介质

权利要求书

1.一种生产烧结介质元件的方法，所述方法包括：

混合粘合剂与金属粉末以产生第一混合物；

加热所述第一混合物至低于金属烧结温度以获得所述金属粉末的均质复合物；

加热所述均质复合物至金属烧结温度以烧结结合所述金属粉末，从而获得第一孔隙度的多孔介质；以及

处理所述第一孔隙度的多孔介质以从所述第一孔隙度的多孔介质除去氧化物薄层。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在加热所述均质复合物至所述金属烧结温度的同时，加压所述均质复合物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属粉末是铝粉。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，除去所述第一孔隙度的多孔介质的氧化物层进一步包括在氧化物去除酸中浸浴所述第一孔隙度的多孔介质。

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括将所述第一孔隙度的多孔介质暴露于惰性气体的喷射流中。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述惰性气体是氩和氦中的至少一种。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述氧化物去除酸是盐酸。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

将硅珠粒和二氧化硅珠粒中的至少一种加入所述混合物中；以及

利用蚀刻剂来溶解所述硅珠粒和二氧化硅珠粒中的至少一种。

9.一种产生分层孔隙介质结构的方法，所述方法包括：

根据权利要求1所述的方法，产生所述第一孔隙度的多孔介质结构；

根据权利要求1所述的方法，产生第二孔隙度的多孔介质结构，其中所述第二孔隙度不同于所述第一孔隙度；以及

合并所述第一孔隙度的多孔介质结构和所述第二孔隙度的多孔介质结构。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述合并包括压合所述第一孔隙度的多孔介质结构与所述第二孔隙度的多孔介质结构。

11.根据权利要求9所述的方法，进一步包括，在合并所述第一孔隙度的多孔介质结构与所述第二孔隙度的多孔介质结构之前，整平所述第一孔隙度的多孔介质结构的第一层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，整平所述第一孔隙度的多孔介质结构的第一层进一步包括，利用放电加工线来整平所述第一孔隙度的多孔介质结构的第一层。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，整平所述第一孔隙度的多孔介质结构的第一层进一步包括，利用放电加工浴来整平所述第一孔隙度的多孔介质结构的第一层。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，所述合并包括：

堆叠压合所述第一孔隙度的多孔介质结构和所述第二孔隙度的多孔介质结构；以及

加热并压合所述第一孔隙度的多孔介质结构和所述第二孔隙度的多孔介质结构。

15.根据权利要求1所述的方法，进一步包括从所述第一孔隙度的多孔介质抽空氧气。

16.根据权利要求9所述的方法，进一步包括将所述第一孔隙度的多孔介质结构和所述第二孔隙度的多孔介质结构暴露于弱的但提高强度的爆震波。

17.一种产生层状微流体多孔介质元件的方法，所述方法包括：

制造多个微流体多孔介质片，包括：

用光致抗蚀剂涂层涂覆薄膜；

用掩膜覆盖经涂覆的所述薄膜；

将经覆盖的所述薄膜暴露于电磁能以显影所述掩膜；

蚀刻经暴露的所述薄膜；以及

除去所述掩膜；

标示所述多个微流体多孔介质片中的每一个；以及

粘合所述多个微流体多孔介质片中的一个或多个。