[发明专利]半导体发光元件的制造方法、灯、电子设备和机械装置

权利要求书

1.一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，具有：

在第1有机金属化学气相沉积装置中，在基板上层叠第一n型半导体层的第1工序；和

在第2有机金属化学气相沉积装置中，在所述第一n型半导体层上依次层叠再生长层、第二n型半导体层、活性层和p型半导体层的第2工序。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，在所述第2工序中，所述第二n型半导体层具有使薄膜层反复生长20层～40层而得到的超晶格结构。

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述第1工序中的所述第一n型半导体层的生长条件和所述第2工序中的所述再生长层的生长条件相同。

4.根据权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述第一n型半导体层和再生长层为n接触层，所述第二n型半导体层为n覆盖层。

5.根据权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，将所述再生长层的厚度设为0.05μm～2μm。

6.根据权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，具有：在形成所述再生长层之前，在含有氮的气氛下进行热处理温度为500℃～1000℃的热处理的辅助工序。

7.一种灯，其特征在于，具备采用权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法制造的半导体发光元件。

8.一种电子设备，其特征在于，组装有权利要求7所述的灯。

9.一种机械装置，其特征在于，组装有权利要求8所述的电子设备。

10.根据权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，再生长层是第一n型半导体层的再生长层，且为n型半导体层。

11.一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，具有：

在第1有机金属化学气相沉积装置中，在基板上层叠第一n型半导体层的第1工序；和

在第2有机金属化学气相沉积装置中，在所述第一n型半导体层上依次层叠再生长层、第二n型半导体层、发光层和p型半导体层的第2工序，

在所述第2工序中，将所述第2有机金属化学气相沉积装置的沉积室内的压力设为500mbar～1013mbar来使所述发光层生长。

12.根据权利要求11所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括：在与流量为30SLM～100SLM的第1载气一同地向所述第2有机金属化学气相沉积室供给含有III族元素的III族原料的同时，与第2载气一同地向所述沉积室供给含有氮或氮化合物的氮原料，使由III族氮化物半导体层构成的所述发光层生长的工序。

13.一种灯，其特征在于，具备采用权利要求11所述的半导体发光元件的制造方法制造的半导体发光元件。

14.一种电子设备，其特征在于，组装有权利要求13所述的灯。

15.一种机械装置，其特征在于，组装有权利要求14所述的电子设备。